[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010233605.7 | 申請(qǐng)日: | 2010-07-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102024677A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 橫澤薰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
2009年9月18號(hào)提交的日本專利申請(qǐng)No.2009-217825的公開(kāi),包括說(shuō)明書(shū),附圖,以及摘要以其整體合并于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。特別是,本發(fā)明涉及能夠快速地調(diào)查半導(dǎo)體器件制造工藝中產(chǎn)生的缺陷的原因的半導(dǎo)體制造技術(shù)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件制造工藝廣義地包括前工藝(晶圓工藝)和后工藝(組裝工藝),在前工藝中,通過(guò)結(jié)合光刻技術(shù)、CVD技術(shù)、濺射技術(shù)和刻蝕技術(shù),將集成電路形成在半導(dǎo)體晶圓例如單晶硅晶圓的主表面(集成電路形成表面)上,在后工藝中,形成有集成電路的半導(dǎo)體晶圓被切割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片并接著這些半導(dǎo)體芯片每個(gè)被密封到封裝中,例如樹(shù)脂或陶瓷封裝。
半導(dǎo)體器件制造商通過(guò)在經(jīng)由上述工藝制造的每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品(半導(dǎo)體封裝)的表面上指示產(chǎn)品信息,諸如產(chǎn)品型號(hào)名稱、客戶標(biāo)志標(biāo)記以及產(chǎn)品碼,來(lái)管理產(chǎn)品。
專利文件1(日本未審查專利公開(kāi)No.Hei?11(1999)-008327)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體芯片標(biāo)識(shí)放置方法,其允許即使在通過(guò)切片將半導(dǎo)體芯片從半導(dǎo)體晶圓分離之后,也能管理多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)。更具體地,首先關(guān)于形成在半導(dǎo)體晶圓上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片,將芯片號(hào)和晶圓內(nèi)芯片位置確定為芯片標(biāo)識(shí)碼。接著,當(dāng)通過(guò)切片將這樣被賦給芯片標(biāo)識(shí)碼的半導(dǎo)體芯片從半導(dǎo)體晶圓分離并安裝到引線框架上時(shí),將對(duì)應(yīng)于每個(gè)半導(dǎo)體芯片的上述標(biāo)識(shí)碼的條形碼附加到位于該半導(dǎo)體芯片附近的引線框架位置。該條形碼由條形碼讀取器讀取,接著在IC封裝的組裝之后,對(duì)應(yīng)于該條形碼讀取器讀取的條形碼的條形碼被附加到IC封裝的背面。根據(jù)該半導(dǎo)體芯片標(biāo)識(shí)碼放置方法,即使在IC封裝的組裝之后,也可以通過(guò)讀取附加到封裝背表面的條形碼,識(shí)別結(jié)合在該IC封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的制造批號(hào)和晶圓號(hào)。因此,有可能進(jìn)行例如制造階段的條件的跟蹤調(diào)查。
專利文獻(xiàn)2(日本未審查專利公開(kāi)No.2004-022981)公開(kāi)了一種用于在產(chǎn)品中的封裝表面和引線框架的每個(gè)芯片安裝部分的背面上都指示外部可見(jiàn)的產(chǎn)品信息的技術(shù),該產(chǎn)品中芯片安裝部分從封裝背表面露出,像小尺寸半導(dǎo)體封裝中的QFN(四方扁平無(wú)引腳封裝)或者TSSOP(薄型縮小外形封裝)。根據(jù)專利文獻(xiàn)2,在產(chǎn)品類型之間共同點(diǎn)很低的產(chǎn)品信息,比如客戶標(biāo)志標(biāo)記,產(chǎn)品型號(hào)名稱,產(chǎn)品碼和批次跟蹤碼被指示在封裝表面,而在產(chǎn)品之間共同點(diǎn)很高的產(chǎn)品信息,諸如制造國(guó)碼被指示在芯片安裝部分的背面。封裝表面上的產(chǎn)品信息通過(guò)封裝成型之后的印刷,密封或激光標(biāo)記而形成,而芯片安裝部分的背面上的產(chǎn)品信息通過(guò)在開(kāi)始封裝組裝之前的壓制或者刻蝕預(yù)先形成。
發(fā)明內(nèi)容
如上所述,半導(dǎo)體器件制造商通過(guò)在作為完成的產(chǎn)品的半導(dǎo)體產(chǎn)品(半導(dǎo)體封裝)表面上指示產(chǎn)品信息而管理產(chǎn)品。
然而,近年來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)品的類型多樣化,并且半導(dǎo)體產(chǎn)品制造步驟也多樣化和復(fù)雜,所以在發(fā)生半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷的情況下,傳統(tǒng)產(chǎn)品管理方法很難快速地調(diào)查缺陷的原因。
例如,在專利文獻(xiàn)1中,通過(guò)將半導(dǎo)體芯片標(biāo)識(shí)碼以條形碼的形式放置到半導(dǎo)體封裝的背面,使得跟蹤調(diào)查前工藝中的制造條件成為可能。該標(biāo)識(shí)碼不能在用于調(diào)查在后工藝中形成的缺陷的原因的跟蹤調(diào)查中利用,因?yàn)樗话P(guān)于在后工藝(組裝工藝)中的制造條件的任何信息。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種管理方法,其能夠快速地調(diào)查半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷的原因。
從下面的說(shuō)明書(shū)和附圖,本發(fā)明的上述和其他目標(biāo)和新型特征將顯而易見(jiàn)。
下面是這里公開(kāi)的發(fā)明的典型發(fā)明的概要。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面,提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括步驟:(a)提供基礎(chǔ)構(gòu)件,該基礎(chǔ)構(gòu)件包括具有芯片安裝部分的器件區(qū)域和位于器件區(qū)域之外的外部框架部分;(b)在步驟(a)之后,將第一標(biāo)識(shí)號(hào)碼置于基礎(chǔ)構(gòu)件的外部框架部分;(c)在步驟(b)之后,將半導(dǎo)體芯片安裝在基礎(chǔ)構(gòu)件的芯片安裝部分上;(d)在步驟(c)之后,用樹(shù)脂密封該半導(dǎo)體芯片使得外部框架部分被暴露,并且形成密封體;以及(e)在步驟(d)之后,讀取第一標(biāo)識(shí)號(hào)碼,并將出自存儲(chǔ)在服務(wù)器上的多條服務(wù)器內(nèi)信息的、與所述讀取的第一標(biāo)識(shí)號(hào)碼對(duì)應(yīng)的第一服務(wù)器內(nèi)信息,置于所述密封體,作為第二標(biāo)識(shí)號(hào)碼。
下面是本文公開(kāi)的發(fā)明中的典型發(fā)明獲得的效果的簡(jiǎn)要描述。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的方面,可以通過(guò)讀取附加到半導(dǎo)體封裝的表面的條形碼立即追蹤到計(jì)算機(jī)上存儲(chǔ)的制造半導(dǎo)體封裝的條件,使得有可能快速采取對(duì)抗缺陷的措施。
附圖說(shuō)明
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的QFP的制造工藝的完整流程圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于瑞薩電子株式會(huì)社,未經(jīng)瑞薩電子株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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