[發(fā)明專利]壓敏傳感器的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010233560.3
• 申請(qǐng)日: 2010-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN102336388A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃志剛;方精訓(xùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種壓敏傳感器的制備方法，其特征在于，在硅襯底上的第一犧牲層中刻蝕形成定錨通孔之后，包括如下步驟：

1)采用各向同性的刻蝕工藝，刻蝕所述定錨通孔下的硅襯底至硅平面下預(yù)定深度，形成定錨底座孔，而后去除光刻膠；

2)CMP工藝研磨去除所述硅襯底上的第一犧牲層；

3)在所述硅襯底上淀積傳感薄膜，所述傳感薄膜填充硅襯底中的所述定錨底座孔，形成定錨底座；

4)CMP工藝研磨所述傳感薄膜至所述硅襯底平面；

5)在硅襯底上淀積第二犧牲層；

6)采用光刻工藝在所述第二犧牲層上定義出定錨通孔的位置，而后刻蝕所述第二犧牲層至所述硅襯底中的傳感薄膜中，形成定錨通孔，之后去除光刻膠；

7)在所述第二層犧牲層上再次淀積傳感薄膜，所述傳感薄膜填充所述定錨通孔形成定錨，最終形成由定錨底座和定錨構(gòu)成的傳感薄膜支撐柱；

8)緊接著進(jìn)行高溫退火處理，之后進(jìn)行傳感薄膜圖形化等常規(guī)的工藝。

2.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一中刻蝕至所述硅襯底平面下的深度為0.05～2μm。

3.按照權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一的刻蝕在多晶硅的刻蝕機(jī)臺(tái)上完成。

4.按照權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一的刻蝕采用等離子體刻蝕工藝，刻蝕工藝參數(shù)可為：刻蝕氣體SF₆流量為10sccm～200sccm；刻蝕氣體O₂的流量為10sccm～150sccm；刻蝕設(shè)備的上部電極源功率設(shè)置為500～2000w；下部電極偏置功率設(shè)置為0w；刻蝕腔體內(nèi)的壓力設(shè)置為10～100mt。

5.按照權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述第一犧牲層和第二犧牲層為氧化硅或氮化硅。