[發(fā)明專利]極大規(guī)模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010231732.3
• 申請(qǐng)日: 2010-07-21
• 公開（公告）號(hào): CN102010665A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉玉嶺;潘國峰;王辰偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津晶嶺微電子材料有限公司
• 主分類號(hào): C09G1/02
• 分類號(hào): C09G1/02
• 代理公司: 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 12107
• 代理人: 閆俊芬

1.一種極大規(guī)模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

(1)使用電阻為18MΩ的超純水對(duì)密閉反應(yīng)釜及進(jìn)料管道清洗至少三次，使清洗后廢液的電阻不低于16MΩ；所述密閉反應(yīng)釜為聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂中的任一種；

(2)將質(zhì)量百分比濃度為50％、粒徑為15-25nm、莫氏硬度7的SiO₂溶膠通過步驟(1)清洗過的進(jìn)料管道加入到步驟(1)已清洗過的密閉的反應(yīng)釜中，對(duì)密閉反應(yīng)釜抽真空使密閉反應(yīng)釜內(nèi)呈負(fù)壓完全渦流狀態(tài)，形成渦流攪拌；

(3)在步驟(2)得到的硅溶膠溶液中，邊進(jìn)行渦流攪拌邊將活性劑0.5-5％、FA/O螯合劑0.1-5％、氧化劑0.5-4％，依次加入到密閉反應(yīng)釜中，持續(xù)保持完全渦流狀態(tài)；

(4)最后將胺堿3-10％在完全渦流的狀態(tài)下抽入到步驟(3)得到的溶液中，充分渦流攪拌5-15分鐘后得到pH值為9-12的拋光液，進(jìn)行灌裝即可；

得到的拋光液含質(zhì)量百分比濃度為50％、粒徑為15-25nm莫氏硬度7的SiO₂溶膠80-95.4％，上述活性劑、氧化劑、FA/O螯合劑和胺堿的百分比均以最后得到的拋光液為基準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極大規(guī)模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液的制備方法，其特征在于，所述胺堿為羥乙基乙二胺、三乙醇胺、四甲氫氧化銨中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極大規(guī)模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液的制備方法，其特征在于：所述的氧化劑是過氧化氫或過氧焦磷酸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極大規(guī)模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液的制備方法，其特征在于：拋光液總量不超過密閉反應(yīng)釜容量的4/5。