[發(fā)明專利]一種減反射薄膜SiNx:H表面原位NH₃等離子體處理方法有效

申請?zhí)枺?/td>	201010231360.4	申請日：	2010-07-14
公開（公告）號：	CN101956180A	公開（公告）日：	2011-01-26
發(fā)明（設(shè)計）人：	周春蘭;李濤;王文靜	申請（專利權(quán)）人：	中國科學(xué)院電工研究所
主分類號：	C23C16/44	分類號：	C23C16/44;C23C16/34
代理公司：	北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251	代理人：	關(guān)玲
地址：	100080 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種反射薄膜 sinx 表面原位 nh sub 等離子體處理方法
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【權(quán)利要求書】：

1.一種減反射薄膜SiN_x:H表面原位NH₃等離子體處理方法，其特征在于，首先用常規(guī)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相方法在晶體硅太陽電池的硅襯底表面沉積SiN_x:H減發(fā)射薄膜，然后在原位先用N₂等離子體進(jìn)行表面物理轟擊，時間為10-15秒，以去除SiN_x:H薄膜鍵合較弱的-N(-NH₂，-NH)和打斷Si-H鍵得到未成鍵的Si⁺；接著用NH₃或者NH₃和N₂混合等離子體進(jìn)行表面處理，時間為10-20秒，使氮化硅薄膜中的未成鍵的Si⁺與N⁺鍵合形成Si-N鍵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射薄膜SiN_x:H表面原位NH₃等離子體處理方法，其特征在于所述的SiN_x:H薄膜是構(gòu)成太陽電池表面減反射層的一部分。

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