[發(fā)明專(zhuān)利]三維芯片之不連續(xù)型態(tài)層識(shí)別編號(hào)檢測(cè)器及其方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010231041.3 | 申請(qǐng)日： | 2010-07-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102339646A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳銘斌;張孟凡;吳威震 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 張孟凡 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11C29/00 | 分類(lèi)號(hào)： | G11C29/00;G11C29/44;G11C5/04 |
| 代理公司： | 北京挺立專(zhuān)利事務(wù)所 11265 | 代理人： | 葉樹(shù)明 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中市南*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 三維 芯片 連續(xù) 型態(tài)層 識(shí)別 編號(hào) 檢測(cè)器 及其 方法 | ||
1.一種用于N層堆棧組件之每一層之三維芯片檢測(cè)器，其特征在于包括：
一除二電路，耦接一(N-1)訊號(hào)；
一第一比較器，耦接該除二電路，其中一輸入A耦接一初始層數(shù)訊號(hào)，該第一比較器之一輸入B耦接該除二電路之一輸出；
一第二比較器，藉由該第二比較器之一輸入A而耦接該初始層數(shù)，一num耦接該第二比較器之一輸入B；
一第一加減電路，藉由該第一加減電路之一輸入A而耦接該num，藉由該第一加減電路之一輸入B而耦接該第一比較器，并藉由該第一加減電路之一輸入“+/-”訊號(hào)而耦接該第二比較器；以及
一第二加減電路，藉由該第二加減電路之一輸入A而耦接該第一比較器，藉由該第二加減電路之一輸入B而耦接該num。
2.如權(quán)利要求1所述之用于N層堆棧組件之每一層之三維芯片檢測(cè)器，其特征在于該第一比較器之該輸出A等于該第一比較器之該輸出B，該第一比較器之一輸出為0；該第一比較器之該輸出A不等于該第一比較器之該輸出B，該第一比較器之一輸出為1。
3.如權(quán)利要求1所述之用于N層堆棧組件之每一層之三維芯片檢測(cè)器，其特征在于更包括一加一電路，耦接該初始層數(shù)訊號(hào)與下一層初始層數(shù)之間。
4.如權(quán)利要求1所述之用于N層堆棧組件之每一層之三維芯片檢測(cè)器，其特征在于該第二比較器之該輸出A不等于該第二比較器之該輸出B，該第二比較器之一輸出為0；該第二比較器之該輸出A等于該第二比較器之該輸出B，該第一比較器之一輸出為1。
5.如權(quán)利要求1所述之用于N層堆棧組件之每一層之三維芯片檢測(cè)器，其特征在于該第二加減電路之一輸入“+/-”訊號(hào)，耦合該第二比較器之一輸出“+/-”訊號(hào)。
6.如權(quán)利要求1所述之用于N層堆棧組件之每一層之三維芯片檢測(cè)器，其特征在于當(dāng)該輸入“+/-”訊號(hào)為1，該第一加減電路之一輸出為(A+B)，該第二加減電路之一輸出為(A+B)；當(dāng)該輸入“+/-”訊號(hào)為0，該第一加減電路之一輸出為(A-B)，該第二加減電路之一輸出為(A-B)；其中一層識(shí)別編號(hào)系從該第二加減電路輸出。
7.一種檢測(cè)N層堆棧組件之每一層之三維芯片之一層識(shí)別編號(hào)之方法，其特征在于包括：
藉由該每一層之一檢測(cè)器從0遞增至(N-1)而產(chǎn)生一初始層數(shù)；
藉由N/2而指定該每一層之一num，隨后分別藉由該檢測(cè)器而從0遞增至一商數(shù)以及從該商數(shù)遞減至0，而取該商數(shù)作為該每一層之該num；
藉由該檢測(cè)器并基于該num與該初始層數(shù)而指定“+/-”至該每一層；以及
藉由該檢測(cè)器并基于該num、該初始層數(shù)與該“+/-”而產(chǎn)生一層識(shí)別編號(hào)于該每一層。
8.如權(quán)利要求7所述之檢測(cè)N層堆棧組件之每一層之三維芯片之一層識(shí)別編號(hào)之方法，其特征在于于該每一層之該層識(shí)別編號(hào)包括一奇數(shù)群與一偶數(shù)群。
9.如權(quán)利要求7所述之檢測(cè)N層堆棧組件之每一層之三維芯片之一層識(shí)別編號(hào)之方法，其特征在于該檢測(cè)器包括：
一除二電路，耦接一(N-1)訊號(hào)；
一第一比較器，耦接該除二電路，其中一輸入A耦接一初始層數(shù)訊號(hào)，該第一比較器之一輸入B耦接該除二電路之一輸出；
一第二比較器，藉由該第二比較器之一輸入A而耦接該初始層數(shù)，一num耦接該第二比較器之一輸入B；
一第一加減電路，藉由該第一加減電路之一輸入A而耦接該num，藉由該第一加減電路之一輸入B而耦接該第一比較器，并藉由該第一加減電路之一輸入“+/-”訊號(hào)而耦接該第二比較器；以及
一第二加減電路，藉由該第二加減電路之一輸入A而耦接該第一比較器，藉由該第二加減電路之一輸入B而耦接該num。
10.如權(quán)利要求7所述之檢測(cè)N層堆棧組件之每一層之三維芯片之一層識(shí)別編號(hào)之方法，其特征在于該每一層之該“+/-”系藉由該第二比較器所決定，于該每一層之該層識(shí)別編號(hào)系藉由該第二加減電路所決定。
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