[發明專利]半導體器件結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010230771.1
• 申請日: 2010-07-13
• 公開（公告）號: CN102332431A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 鐘匯才;梁擎擎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/768;H01L27/088
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種半導體器件結構的制造方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成柵電極線；

在所述柵電極線外側形成側墻；

在所述柵電極線兩側的半導體襯底上形成源/漏區；

在所述柵電極線或源/漏區上形成接觸孔；

其中，在所述側墻形成后至所述半導體器件結構的前道工藝完成之前，將所述柵電極線進行切割以形成電隔離的柵電極。

2.根據權利要求1所述的方法，將所述柵電極線進行切割包括：采用反應離子刻蝕或激光切割刻蝕對所述柵電極線進行切割。

3.根據權利要求1所述的方法，如果所述半導體襯底上形成有淺溝槽隔離，則將所述柵電極線進行切割時切割的位置位于所述淺溝槽隔離的上方。

4.根據權利要求1所述的方法，相鄰的所述柵電極之間的距離為1～10nm。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，在所述半導體襯底上形成層間介質層之前進行柵電極線的切割以形成電隔離的柵電極。

6.根據權利要求5所述的方法，所述形成接觸孔包括：

在所述半導體襯底上形成層間介質層，其中，層間介質層將所述隔離的柵電極之間進行填充；以及

刻蝕所述層間介質層以在所述柵電極或源/漏區上形成所述接觸孔。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述形成接觸孔包括：

形成第一層間介質層；

刻蝕所述第一層間介質層以在所述源/漏區上形成下接觸孔；

形成第二層間介質層；

刻蝕所述第二層間介質層以在所述柵電極線或源/漏區上形成上接觸孔；

其中，在所述源/漏區上，所述下接觸孔與上接觸孔對齊。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，在形成下接觸孔之后進行柵電極線的切割。

9.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，在形成源/漏區后，所述方法還包括：

將所述柵電極線去除以在所述側墻內壁形成開口；

在所述開口內形成替代柵電極線。

10.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，在形成側墻后，將柵電極線進行切割以形成電隔離的柵電極；

所述方法還包括：

將所述柵電極去除以在所述側墻內壁形成開口；以及在所述開口內形成替代柵電極。

11.一種半導體器件結構，包括：

半導體襯底；

至少兩個柵電極，形成于所述半導體襯底上并沿柵寬的方向排列；

側墻，僅形成于所述柵電極的兩側，且沿柵寬的方向上，所述側墻的端部與所述柵電極的端部相齊；

源/漏區，形成于所述半導體襯底上且位于所述柵電極的兩側；

其中，沿柵寬的方向上，相鄰的柵電極之間填充有介質材料以形成柵電極之間的電隔離。

12.根據權利要求11所述的半導體器件結構，其中在沿柵寬的方向上，相鄰的所述柵電極之間的距離為1～10nm。

13.根據權利要求11所述的半導體器件結構，其中，在所述側墻的材料與所述介質材料相同的情況下，所述半導體器件結構還包括：在所述介質材料與所述側墻之間形成的界面層。

14.根據權利要求13所述的半導體器件結構，其中，所述側墻的材料與所述介質材料包括氮化物、氧化物或含碳氧化物，所述界面層包括SiO₂。

15.根據權利要求13所述的半導體器件結構，其中，所述界面層的厚度小于或等于1nm。

16.根據權利要求11至15中任一項所述的半導體器件結構，其中，在所述側墻的材料與所述介質材料不同的情況下，所述介質材料包括：SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON、SiON、PSG、BPSG中的任一種或多種的組合。