[發明專利]改進的空穴遷移聚合物太陽能電池

無效

• 申請號: 201010228615.1
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN101924185A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: M·N·米黑拉;B·塞爾班;V·G·杜米特魯
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 范赤;李連濤

1.一種太陽能電池，包括：

光電材料；

電連接于光電材料的第一聚合物層，第一聚合物層具有高的缺陷密度以便于空穴遷移；和

電連接于第一聚合物層的第二層，第二層具有低的缺陷態密度以便于空穴傳輸。

2.一種太陽能電池，包括：

光電材料；

電連接于光電材料的p-型聚合物層，通過改變聚合物晶格，p-型聚合物層被構造為具有減小了的晶格重組能量。

3.一種制造太陽能電池的方法，包括，

形成光電材料；

形成電連接于光電材料的第一聚合物層，第一聚合物層具有高的缺陷密度以便于空穴遷移；和

形成電連接于第一聚合物層的第二層，第二層具有低的缺陷態密度以便于空穴傳輸。

4.一種制造太陽能電池的方法，包括，

形成光電材料；

形成電連接于光電材料的p-型聚合物層，通過改變聚合物晶格，p-型聚合物層被構造為具有減小了的晶格重組能量。