[發(fā)明專利]場效應(yīng)晶體管及其柵結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010226315.X
• 申請日: 2010-07-08
• 公開（公告）號: CN101997027A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林毓超;林志忠;林益安;林日澤;陳昭成;陳嘉仁;張文
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，包括：

一柵電極層；

一柵絕緣層，位于該柵電極層之下，且于該柵電極層的相反側(cè)上具有底腳區(qū)；以及

一密封層，位于該柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中該密封層覆蓋于該底腳區(qū)上的一較低部分的一厚度小于該密封層位于該柵電極層的側(cè)壁上的一較高部分的一厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，其中該密封層的該較低部分的一最小厚度與該較高部分的一最大厚度的比值介于0.5至0.9之間。

3.如權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，其中該密封層的該較高部分的一最大厚度介于至之間。

4.如權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，其中該密封層的該較低部分的一最小厚度介于至之間。

5.如權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，其中該柵絕緣層的該底腳區(qū)的一第三長度具有一平均長度，介于至之間。

6.如權(quán)利要求1所述的場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，其中該底腳區(qū)的一第三長度與該密封層的該較低部分的一最小厚度的一總和大于該密封層的該較高部分的一最大厚度。

7.如權(quán)利要求6所述的場效應(yīng)晶體管的柵結(jié)構(gòu)，其中該總和與該較高部分的該最大厚度的差異介于至

8.一種場效應(yīng)晶體管，包括：

一基底，包括一有源區(qū)；

一柵結(jié)構(gòu)，包括一柵電極層及一柵絕緣層，該柵絕緣層位于該柵電極層之下，并于該柵電極層的相反側(cè)上具有底腳區(qū)；

一密封層，位于該柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中該密封層覆蓋于該些底腳區(qū)上的一較低部分的一厚度小于該密封層位于該柵電極層的側(cè)壁上的一較高部分的一厚度；以及

源極/漏極區(qū)，位于該柵結(jié)構(gòu)的相反側(cè)的有源區(qū)中。

9.如權(quán)利要求8所述的場效應(yīng)晶體管，其中該密封層的該較低部分的一最小厚度與該較高部分的一最大厚度的比值介于0.5至0.9之間。

10.如權(quán)利要求8所述的場效應(yīng)晶體管，其中該柵絕緣層的該底腳區(qū)的一第三長度具有一平均長度，介于至之間。