[發明專利]用于制造拋光的半導體晶片的方法

有效

• 申請號: 201010226207.2
• 申請日: 2010-07-08
• 公開（公告）號: CN101996863A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: B·莫克爾;H·弗蘭克
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡洪貴

技術領域

本發明涉及一種用于制造拋光的半導體晶片的方法，所述方法包括以下順序的多個步驟：

-由半導體材料構成的棒切割出半導體晶片，

-對半導體晶片的至少一側進行材料去除處理，以及

-拋光半導體晶片的所述至少一側。

背景技術

半導體晶片通常具有拋光的前側，裝置插入所述前側中。日益迫切的需要涉及到前側的平坦度。為了能夠在半導體晶片上制造最大可能數目的裝置，直到前側的邊緣必須盡可能地嚴格地確保必需的平坦度。

用于總體上講提高半導體晶片的側表面的平坦度和具體地講提高前側的平坦度的絕大部分的努力始終集中在影響平坦度的半導體晶片的材料去除處理的步驟上。它們特別是包括諸如一個或兩個側表面的研磨、磨削和拋光的步驟。實際上總要執行被實施為單面或雙面拋光的至少一種拋光過程。然而，如DE10302611A1所述，諸如蝕刻側表面的處理步驟也會影響平坦度，特別是側表面的邊部區域中的平坦度。半導體晶片通常在第一次拋光過程之前被蝕刻，以消除由前面的成形處理例如由于對半導體晶片的磨削或研磨(或這些方法的組合)對表面造成的損壞。所引用的專利申請公開了一種蝕刻方法，其中，半導體晶片在蝕刻過程中暴露在被引導到半導體晶片的邊緣上的液體蝕刻劑流下。為了在蝕刻過程中使半導體晶片獲得直到最外的邊部的最可能平坦的側表面，半導體晶片的邊部在蝕刻過程中借助于特殊的屏蔽件被屏蔽而免受流動的蝕刻劑。在拋光之前直到最外的邊部的盡可能平坦的半導體晶片的側表面被認為是使拋光的半導體晶片在邊部區域也具有非常好的幾何形狀的前提條件。然而，已經發現，邊部區域中的幾何形狀仍有改進的需要，即使采用了DE10302611A1的教導時。

發明內容

因此，本發明的目的是進一步改善拋光的半導體晶片在邊部區域中的幾何形狀。

上述目的通過一種用于制造拋光的半導體晶片的方法實現，所述方法包括以下順序的多個步驟：

-由半導體材料構成的棒切割出半導體晶片，

-對半導體晶片的至少一側進行材料去除處理，以及

-拋光半導體晶片的所述至少一側，

其中，在所述材料去除處理之后、對待拋光的所述至少一側進行拋光之前，半導體晶片沿著其邊部具有環形局部隆起部，所述局部隆起部具有至少0.1μm的最大高度，且局部隆起部在半導體晶片的邊部處的10mm寬的環內達到其最大高度。

與DE10302611A1的教導不同，發明人已經發現，在拋光之前盡可能平坦的半導體晶片并不是在拋光之后在晶片邊部處獲得良好的幾何形狀的最佳的前提條件。相反，根據本發明，在待拋光的半導體晶片的至少一側的邊部區域上設有輕微的局部隆起部，所述隆起部在拋光過程中去除。拋光此時會產生這樣一種半導體晶片，其直到最外的邊部均具有良好的平坦度而不具有明顯的塌邊。優選地，隆起部形成在半導體晶片的經受拋光的每一側的邊部處，即，在單面拋光的情況下僅在一側、在雙面拋光的情況下在兩側形成隆起部。

隆起部的最大高度以及高度最大值的位置根據隨后的拋光步驟的處理參數選擇。這些處理參數主要包括接觸壓力、拋光墊質量(硬度)、拋光漿液的成分、拋光板和承載件的轉動速度以及主要的要達到的拋光去除的高度。在半導體晶片的經受拋光的每一側上，通過拋光產生的材料去除量通常為3-30μm。拋光去除量越高，根據本發明的隆起部的高度就必須越大，以便獲得所希望的結果。

根據本發明，局部隆起部的最大值位于沿著晶片邊緣的從邊緣向內延伸10mm的環形區域中。優選地，局部隆起部的高度最大值位于半導體晶片的最外的5毫米上，即位于從晶片邊緣向內延伸5mm的環的表面上。

根據本發明，局部隆起部的高度為至少0.1μm。在0.1μm的高度以下時，在隨后的拋光過程中即使在非常小的材料去除量的情況下也不再能獲得期望的結果。優選地，根據本發明的隆起部不高于10μm，這是因為否則會需要非常高的拋光去除量才能借助于拋光獲得不具有邊部隆起部的平坦晶片邊部。由于這些原因，在拋光之前的隆起部的高度特別優選地位于0.5-5μm的范圍內。

附圖說明

下面，參看附圖更詳細地描述本發明以及優選的實施例，附圖包括：

圖1示出了用于描述半導體晶片的邊部處的根據本發明的隆起部的參數；

圖2a、2b和2c示意性地示出了通過杯形磨削盤處理半導體晶片產生根據本發明的隆起部的情況；

圖3示意性地示出了通過使用屏蔽晶片邊部的屏蔽件的蝕刻產生根據本發明的隆起部的情況；