[發明專利]低壓大電流輸出DC-DC變換器

無效

• 申請號: 201010220311.0
• 申請日: 2010-07-06
• 公開（公告）號: CN102315775A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 艾永保;楊喜軍;陳興中;王選
• 申請（專利權）人: 上海儒競電子科技有限公司
• 主分類號: H02M3/28
• 分類號: H02M3/28
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于，包括：

將高壓直流電壓轉換為高頻高壓直流電壓的逆變電路、包括由MOSFET管構成的單相逆變橋；

將所述高頻高壓直流電壓轉換為高頻低壓直流脈沖的變壓電路、包括若干個變壓單元；其中，每個變壓單元均包括一個變壓器、一端與所述變壓器次級繞組中端連接的諧振電感、及兩個輸入端分別連接所述次級繞組兩端的整流電路，且所述變壓器的初級繞組依次串聯構成串聯結構，所述串聯結構的兩端連接所述逆變電路；

將所述高頻低壓直流脈沖濾波為低壓直流電壓的儲能電路、連接所述整流電路的輸出端及所有諧振電感的另一端。

2.如權利要求1所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述單相逆變橋包括第一MOSFET管、第二MOSFET管、第三MOSFET管及第四MOSFET管；所述第一MOSFET管與所述第三MOSFET管串聯，所述第二MOSFET管與所述第四MOSFET管串聯，且所述第一MOSFET管及所述第三MOSFET管與所述第二MOSFET管及所述第四MOSFET管并聯。

3.如權利要求2所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述逆變電路還包括與所述第一MOSFET管及所述第三MOSFET管、所述第二MOSFET管及所述第四MOSFET管并聯的電容。

4.如權利要求2或3所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述串聯結構的一端連接在所述第一MOSFET管及所述第三MOSFET管之間，所述串聯結構的另一端連接在所述第二MOSFET管及所述第四MOSFET管之間。

5.如權利要求1所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述變壓單元為三個。

6.如權利要求1所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述整流電路為全波整流電路，其包括兩個二極管，所述兩個二極管的一端分別連接所在單元的變壓器次級繞組的兩端，另一端均連接所述儲能電路。

7.如權利要求1所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述儲能電路包括一個或若干個串聯的電容。

8.如權利要求7所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述電容為若干個，每個電容均并聯一個電阻，且所有電阻的阻值相等。

9.如權利要求1或7所述的低壓大電流輸出DC-DC變換器，其特征在于：所述電容為電解電容。