[發明專利]太陽能芯片的抗反射層的檢測方法及檢測裝置

無效

• 申請號: 201010219981.0
• 申請日: 2010-07-01
• 公開（公告）號: CN101915546A
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發明（設計）人: 王瓊姿
• 申請（專利權）人: 立曄科技股份有限公司
• 主分類號: G01B11/06
• 分類號: G01B11/06
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;張燕華

技術領域

本發明涉及一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法及檢測裝置，可快速完成太陽能芯片上的抗反射層厚度的測量。

背景技術

隨著地球資源的匱乏及環保議題的抬臺，世界各國逐漸察覺到發展新替代能源的急迫性，其中太陽能發電便是最被看好的一項技術。太陽能芯片電池依工藝的不同，大概可被區分為硅晶太陽能電池及薄膜太陽能電池，目前硅晶太陽能電池的市占率約為80％以上。

請參閱圖1，為現有太陽能芯片的構造示意圖。如圖所示，太陽能芯片10主要包括有一N型半導體材料11、一P型半導體材料13及一抗反射層15，其中N型半導體材料11及P型半導體材料13以層疊方式設置，而抗反射層15則設置在N型半導體材料11表面。

在應用時太陽光可穿透抗反射層15并投射在N型半導體材料11及/或P型半導體材料13上，借由抗反射層15的設置將可以讓更多的光源進入半導體材料11/13，并有利于提高太陽能芯片10產生電能的效率。當光源照射在太陽芯片10時，太陽能芯片10內帶負電的電子將會往N型半導體材料11的表面移動，并可以設置在N型半導體材料11上的導電線17將其導出，而太陽能芯片10內帶正電的電洞則會往P型半導體材料13的表面移動，并可進一步以設置在P型半導體材料13上的導電線19將其導出。

抗反射層15主要由一絕緣材料所制成，且抗反射層15的厚度會對導入太陽能芯片10的光源的比例造成影響。一般在對太陽能芯片10的抗反射層15的厚度進行測量時，主要是通過破壞性的掃瞄式電子顯微鏡(SEM)分析抗反射層15的厚度，然而此一測量方法不僅效率不佳，更無法在產在線自動化進行檢測。

發明內容

本發明的主要目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，主要將一白色光源投射在太陽能芯片上，并將太陽能芯片的顏色轉換為色度，借此將可進一步以色度推算出太陽能芯片上的抗反射層的厚度。

本發明的次要目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，主要對太陽能芯片進行影像的擷取并取得一影像數據，并將影像數據區分成多個影像單元，而后再將各個或部分影像單元上的RGB數值轉換到HSV的色彩空間，以得知各個或部分影像單元的色度，借此將由各個或部分影像單元的色度推算出太陽能芯片的抗反射層的厚度。

本發明的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，主要對太陽能芯片進行影像的擷取并取得一影像數據，并對該影像數據上的各個或部分像素進行分析，以得知太陽能芯片的抗反射層的厚度。

本發明的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測方法，其中太陽能芯片上的抗反射層的厚度與影像單元(抗反射層)的色度約呈現二次方反比的關系，并可由色度得知太陽能芯片的抗反射層的厚度。

本發明的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置，主要通過攝像單元對太陽能芯片進行影像的擷取，并以運算單元將影像數據的各個或部分像素的RGB數值轉換到HSV的色彩空間，而后再對各個或部分像素上的色度進行運算，以得知太陽能芯片的各個區域的抗反射層的厚度。

本發明的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置，可將攝像單元設置在太陽能芯片輸送的路徑上，并對太陽能芯片進行影像的擷取，而后再以運算單元對所取得的影像數據進行分析，借此將可以在產在線自動化進行抗反射層厚度的檢測，并有利于提高檢測的效率。

本發明的又一目的，在于提供一種太陽能芯片的抗反射層的檢測裝置，可由檢測的結果得知單一太陽能芯片上的抗反射層的厚度是否均勻，并進一步依據檢測的結果對不同的太陽能芯片進行分類。

為了達到上述目的，本發明提供一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，包括有以下步驟：對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中太陽能芯片表面設置有一抗反射層；將影像數據區分成多個影像單元，并取得影像單元的色度；及由影像單元的色度推算出抗反射層的厚度。

為了達到上述目的，本發明還提供一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，包括有：一攝像單元，用以對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中太陽能芯片表面設置有一抗反射層；及一運算單元，由攝像單元接收影像數據，并將影像數據區分成多個影像單元，并取得影像單元的色度，而后再由影像單元的色度推算出抗反射層的厚度。