[發明專利]太陽能芯片的抗反射層的檢測方法及檢測裝置無效
| 申請號： | 201010219981.0 | 申請日： | 2010-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN101915546A | 公開（公告）日： | 2010-12-15 |
| 發明（設計）人： | 王瓊姿 | 申請（專利權）人： | 立曄科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01B11/06 | 分類號： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;張燕華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能 芯片 反射層 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，包括有以下步驟：
對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中該太陽能芯片表面設置有一抗反射層；
將該影像數據區分成多個影像單元，并取得該影像單元的色度；及
由該影像單元的色度推算出該抗反射層的厚度。
2.根據權利要求1所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，該影像數據由多像素所組成，且該影像單元包括有至少一像素。
3.根據權利要求1所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，包括有以下步驟：
取得該影像單元的RGB數值；
將該影像單元的RGB數值轉換到HSV的色彩空間。
4.根據權利要求1所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，該抗反射層的厚度與該影像單元的色度為呈二次方反比的關系。
5.根據權利要求1所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測方法，其特征在于，該抗反射層為氮化硅。
6.一種太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，包括有：
一攝像單元，用以對一太陽能芯片進行影像擷取，并產生一影像數據，其中該太陽能芯片表面設置有一抗反射層；及
一運算單元，由該攝像單元接收該影像數據，并將該影像數據區分成多個影像單元，并取得該影像單元的色度，而后再由該影像單元的色度推算出該抗反射層的厚度。
7.根據權利要求6所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，包括有一輸送單元用以輸送該太陽能芯片，而該攝像單元則設置于該輸送單元上，并用以對該輸送單元上的太陽能芯片進行攝像。
8.根據權利要求6所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，該影像數據由多像素所組成，且該影像單元包括有至少一像素。
9.根據權利要求6所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，該運算單元取得該影像單元的RGB數值，并用以將該影像單元的RGB數值轉換到HSV的色彩空間。
10.根據權利要求9所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，包括有一發光單元用以投射一白色光源至該太陽能芯片上。
11.根據權利要求10所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，包括有一檢測單元用以對該照明光源所產生的白色光源進行檢測。
12.根據權利要求6所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，該抗反射層的厚度與該影像單元的色度為呈二次方反比的關系。
13.根據權利要求6所述的太陽能芯片的抗反射層厚度的檢測裝置，其特征在于，該抗反射層為氮化硅。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于立曄科技股份有限公司，未經立曄科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010219981.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種三平動空間并聯機器人機構
- 下一篇：利用海帶渣提取蛋白質和膳食纖維的工藝
