[發明專利]一種用于太赫茲波調制的結構材料無效
| 申請號： | 201010218977.2 | 申請日： | 2010-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN101943803A | 公開（公告）日： | 2011-01-12 |
| 發明（設計）人： | 文岐業;張懷武;楊青慧;劉穎力;李元勛 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02F1/00 | 分類號： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 赫茲 調制 結構 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于太赫茲波調制的結構材料，包括介質基板(2)和附著于介質基板(2)表面的電磁共振器陣列(1)；其特征在于，所述介質基板(2)是對太赫茲波高度透明的介質材料基板；所述電磁共振器陣列(1)是由多個相同形狀和尺寸的電磁共振器單元構成的陣列，且每個電磁共振器單元由沉積于介質基板(2)表面的二氧化釩薄膜形成。
2.根據權利要求1所述的用于太赫茲波調制的結構材料，其特征在于，所述電磁共振器單元的形狀是任意現有各種電磁共振器單元的形狀。
3.根據權利要求1所述的用于太赫茲波調制的結構材料，其特征在于，所述二氧化釩薄膜的厚度在0.1～1微米之間，其沉積工藝可采用現有的各種薄膜沉積工藝。
4.根據權利要求1所述的用于太赫茲波調制的結構材料，其特征在于，所述對太赫茲波高度透明的介質材料基板是石英玻璃基板，其厚度在300～1000微米之間。
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