[發明專利]一種顯影方法

有效

• 申請號: 201010218057.0
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN102298275A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 呂煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;徐丁峰

1.一種顯影方法，包括：

將待顯影處理的晶圓固定在晶圓支撐座上；

在所述待顯影處理的晶圓上實施預濕工藝；

向所述待顯影處理的晶圓噴涂顯影液，使光刻膠層中被曝光的區域與所述顯影液發生化學反應而溶解；

對噴涂完所述顯影液顯影反應完成的晶圓進行清洗、甩干。

2.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述預濕工藝包括：

a)旋轉所述待顯影處理的晶圓并在其上噴涂預濕液；

b)進一步旋轉所述待顯影處理的晶圓并將其保持在較高轉速下一定時段，以使所述預濕液在所述待顯影處理的晶圓表面形成預濕液膜；

c)將所述待顯影處理的晶圓減速到0。

3.根據權利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述步驟a)包括：

在第一時段將靜止的所述待顯影處理的晶圓加速到第一轉速并在第二時段一直保持所述第一轉速，同時以第一噴涂速率在所述待顯影處理的晶圓表面噴涂所述預濕液；

在第三時段內將轉速為所述第一轉速的所述待顯影處理的晶圓加速到高于所述第一轉速的第二轉速，并在第四時段內保持所述待顯影處理的晶圓處于所述第二轉速，同時以所述第一噴涂速率在所述待顯影處理的晶圓表面噴涂所述預濕液。

4.根據權利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述步驟b)包括：

在第五時段將轉速為所述第二轉速的所述待顯影處理的晶圓加速到高于所述第二轉速的第三轉速，并在第六時段內保持所述待顯影處理的晶圓處于所述第三轉速。

5.根據權利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述步驟c)包括：

在第七時段將轉速為所述第三轉速的所述待顯影處理的晶圓減速到0。

6.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第一時段為0.2～1秒。

7.根據權利要求6所述的顯影方法，其特征在于，所述第一時段為0.5秒。

8.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第一轉速為100～900轉/分。

9.根據權利要求8所述的顯影方法，其特征在于，所述第一轉速為300轉/分。

10.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第二時段為至少0.5秒。

11.根據權利要求10所述的顯影方法，其特征在于，所述第二時段為1秒。

12.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第一噴涂速率為1～100毫升/秒。

13.根據權利要求12所述的顯影方法，其特征在于，所述第一噴涂速率為16.7毫升/秒。

14.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述預濕液為去離子水。

15.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第三時段為0.2～1秒。

16.根據權利要求15所述的顯影方法，其特征在于，所述第三時段為0.5秒。

17.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第二轉速為500～1500轉/分。

18.根據權利要求17所述的顯影方法，其特征在于，所述第二轉速為1000轉/分。

19.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述第四時段為至少1秒。

20.根據權利要求19所述的顯影方法，其特征在于，所述第四時段為2秒。

21.根據權利要求4所述的顯影方法，其特征在于，所述第五時段為0.5～2秒。

22.根據權利要求21所述的顯影方法，其特征在于，所述第五時段為1秒。

23.根據權利要求4所述的顯影方法，其特征在于，所述第三轉速為1000～3000轉/分。

24.根據權利要求23所述的顯影方法，其特征在于，所述第三轉速為2000轉/分。

25.根據權利要求4所述的顯影方法，其特征在于，所述第六時段為2～10秒。

26.根據權利要求25所述的顯影方法，其特征在于，所述第六時段為4秒。