[發明專利]一種半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201010218052.8
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN102299063A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 周儒領;李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L27/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;謝栒

1.一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：

a)提供前端器件層；

b)在所述前端器件層上沉積第一多晶硅層；

c)在所述第一多晶硅層上沉積多晶硅層間介質體；

d)在所述多晶硅層間介質體上沉積第二多晶硅層；

e)對所述第二多晶硅層進行刻蝕以形成控制柵；

f)在所述控制柵的側壁上形成控制柵側墻；

g)對所述第一多晶硅層進行刻蝕以形成浮柵；

h)在所述控制柵側墻及所述浮柵的側壁上形成浮柵側墻；和

i)進行離子注入；

其中所述離子注入在所述浮柵側墻形成之后進行。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述浮柵側墻的厚度在150-250埃之間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述浮柵側墻的厚度為180-220埃之間。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入中采用的離子為硼離子。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入的能量為1～5Kev，注入的劑量為1×10¹²～1×10¹⁵cm^-2。

6.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入的能量為2～3.5Kev，注入的劑量為1×10¹³～1×10¹⁴cm^-2。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入中采用的物質為BF₂。

8.一種包含通過根據權利要求1所述的方法制造的半導體器件的集成電路，其中所述集成電路是隨機存取存儲器、動態隨機存取存儲器、同步隨機存取存儲器、靜態隨機存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM或射頻電路。

9.一種包含通過根據權利要求1所述的方法制造的半導體器件的電子設備，其中所述電子設備是臺式計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機或數碼相機。