[發明專利]產生測試模式信號的設備和方法有效
| 申請號: | 201010216193.6 | 申請日: | 2010-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN102110480A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發明(設計)人: | 尹泰植;石源雄 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;黃啟行 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 產生 測試 模式 信號 設備 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2009年12月28日向韓國知識產權局提交的韓國申請No.10-2009-0131782的優先權,其全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本發明涉及半導體存儲裝置,具體地,涉及由地址信號產生測試模式信號的測試模式信號發生設備。
背景技術
為了確保半導體存儲裝置的可靠性,在半導體存儲裝置的制造過程中或者在最終產品上市之前,對半導體存儲裝置進行各種測試。由于測試半導體存儲裝置的性能的領域不同,因此建立了多種測試模式,并且基于預先建立的測試模式對半導體存儲裝置進行測試??傊?,半導體存儲裝置通過組合地址信號來產生用于進入指定的測試模式的測試模式信號。
圖1是示意性地示出常規測試模式信號發生設備的結構示意圖。參見圖1,現有的測試模式信號發生設備包括控制單元10、地址譯碼器20和測試模式信號發生單元30??刂茊卧?0接收地址信號MREG<0:6>、正常MRS信號NMRSP、測試MRS信號TMRSP和上電信號PWRUP??刂茊卧?0在測試MRS信號TMRSP被使能時,根據地址信號MREG<0:6>產生傳送地址信號TMREG<0:6>,且控制單元10使用正常MRS信號NMRSP和上電信號PWRUP產生復位信號TRSTPB。地址譯碼器20通過對經控制單元10輸入的傳送地址信號TMREG<0:6>進行譯碼,產生測試地址信號TRG01<0:3>、TRG234<0:7>和TRG56<0:3>。測試模式信號發生單元30接收測試地址信號TRG01<0:3>、TRG234<0:7>和TRG56<0:3>,并產生測試模式信號TM。測試模式信號發生單元30具有多個信號發生部31、32、33和34,且測試模式信號發生單元30根據測試地址信號TRG01<0:3>、TRG234<0:7>和TRG56<0:3>可能的組合數目,產生多個不同的測試模式信號TM。
圖2是說明圖1中的測試模式信號發生設備設置在半導體裝置中的狀態的框圖。參見圖2,半導體裝置包括8個存儲體BANK0至BANK7,圖1中的測試模式信號發生設備設置在存儲體BANK0至BANK7之間的外圍區域。測試模式信號發生設備產生的測試模式信號TM通過全局線直接傳送到需要測試模式信號TM的邏輯電路L0至Lm以及Lm+1至Ln。在如圖1所示的測試模式信號發生設備采用7個地址信號的情況中,可以產生總計128個測試模式信號。因此,在測試模式信號通過全局線直接傳送的情況下,全局線的數量需要有128條。如果這樣大量的全局線設置在提供有許多用于半導體存儲裝置的正常操作的電路的外圍區域中,則布線復雜,并且布圖裕度降低。此外,在常規的測試模式信號發生設備中,根據有限數目的地址信號產生的是有限數目的測試模式信號。
發明內容
本發明的各個實施例包括測試模式信號發生設備,該測試模式信號發生設備可以產生大量的測試模式信號,同時減少全局線的數量。
根據本發明的一個方面,提供一種測試模式信號發生設備,包括:測試地址發生單元,被配置為將測試地址信號轉換成脈沖信號以產生脈沖地址信號;脈沖地址分離單元,被配置為響應于脈沖地址信號而產生轉換的測試地址信號;和測試模式發生單元,被配置為響應于轉換的測試地址信號而產生測試模式信號。
根據本發明的另一方面,提供一種測試模式信號發生設備,包括:第一測試模式信號發生單元,被配置為響應于測試地址信號而產生第一測試模式信號;脈沖地址發生單元,被配置為響應于測試地址信號而產生脈沖地址信號;和測試模式信號發生塊,被配置為響應于脈沖地址信號而產生第二測試模式信號。
根據本發明的又一方面,提供一種產生測試模式信號的方法,包括以下步驟:根據測試地址信號的邏輯電平,將測試地址信號轉換成具有多個脈沖的脈沖地址信號;通過全局線傳送脈沖地址信號;響應于通過全局線傳送的脈沖地址信號,產生轉換的測試地址信號;和響應于轉換的測試地址信號,產生測試模式信號。
附圖說明
包含在說明書中并且構成說明書的一部分的附圖闡述本發明的各個實施例,并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。
圖1是示意性地示出常規測試模式信號發生設備的結構框圖。
圖2是說明圖1的測試模式信號發生設備設置在半導體裝置中的狀態的示意圖。
圖3是示意性地示出根據本發明的一個實施例的測試模式信號發生設備的結構框圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于海力士半導體有限公司,未經海力士半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010216193.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:電動汽車用閥控式密封鉛酸蓄電池
- 下一篇:用于帶有底切的注射模制品的脫模裝置





