[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201010215854.3
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN102299061A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 韓鍇;王文武;王曉磊;馬雪麗;陳大鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：

提供半導體襯底；

在所述襯底上形成界面層、柵介質層和金屬功函數層；

在所述金屬功函數層上形成擴散阻擋層；

在所述擴散阻擋層上形成金屬吸氧層；

對所述器件進行熱退火處理，以使所述金屬吸氧層吸除界面層中的氧，使界面層的厚度減小并且使所述擴散阻擋層阻止金屬吸氧層中的吸氧金屬擴散到所述金屬功函數層中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述擴散阻擋層包括：金屬氮化物、金屬碳化物或其組合。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述擴散阻擋層從包含下列元素的組中選擇元素來形成：TiN、TaN、HfN、WN、WCN、HfC、TaC、TiC或其組合。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述擴散阻擋層的厚度為1-20nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬吸氧層從包含下列元素的組中選擇元素來形成：Ti、Hf、Al、Be、La、Y或其組合。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬吸氧層的厚度為1-10nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述熱退火處理的溫度為300-800℃。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述熱退火處理的時間為1-300s。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述柵介質層從包含下列元素的組中選擇元素來形成：HfO₂、HfSiO_x、HfZrO_x、HfLaO_x、HfLaON_x、LaAlO_x、La₂O₃或其組合。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬功函數層從包含下列元素的組中選擇元素來形成：HfN、TiN、TaN、MoN、TiAlN、MoAlN、HfCN_x、HfC、TiC、TaC、Ru、Re、Pt、RuO₂、TaRu_x、HfRu或其組合。