[發(fā)明專利]一種優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010214250.7
• 申請(qǐng)日: 2010-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102314524A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳玉平;陳嵐;葉甜春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 王建國(guó)

1.一種優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，包括：

步驟1，輸入電路網(wǎng)表、電路仿真結(jié)果、電路的物理版圖和電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則；

步驟2，根據(jù)所述電路網(wǎng)表、電路仿真結(jié)果以及電路的物理版圖進(jìn)行電路分析，確定該電路中的高頻器件和高頻線網(wǎng)、敏感器件和敏感線網(wǎng)，以及關(guān)鍵器件和關(guān)鍵線網(wǎng)；

步驟3，根據(jù)所述電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則，在所述電路的物理版圖上設(shè)定填充障礙；

步驟4，根據(jù)所述電路仿真結(jié)果進(jìn)行電磁分析，確定所述電路的物理版圖上的電磁熱點(diǎn)；

步驟5，根據(jù)所述電磁熱點(diǎn)在金屬層上填充接地金屬圖形，直至不能通過(guò)新的接地金屬填充優(yōu)化電路的物理版圖電磁分布；

步驟6，輸出填充的金屬圖形到物理版圖數(shù)據(jù)庫(kù)。

2.如權(quán)利要求1所述的優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，在所述步驟2中，確定該電路中的高頻器件和高頻線網(wǎng)的步驟具體包括：

步驟21，根據(jù)所述電路網(wǎng)表進(jìn)行信號(hào)流分析，確定高頻器件和高頻線網(wǎng)；

步驟22，根據(jù)所述電路仿真結(jié)果中的信號(hào)頻率，確定高頻器件和高頻線網(wǎng)；

步驟23，所述電路網(wǎng)表與電路的物理版圖得到的電路網(wǎng)表進(jìn)行一致性比較，確定高頻器件和高頻線網(wǎng)物理連線的幾何位置。

3.如權(quán)利要求1所述的優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，在所述步驟2中，確定該電路中的敏感器件和敏感線網(wǎng)的步驟具體包括：

步驟31，根據(jù)所述電路網(wǎng)表進(jìn)行信號(hào)流分析，確定敏感器件和敏感線網(wǎng)；

步驟32，根據(jù)所述電路仿真結(jié)果中的信號(hào)變化的幅度和信號(hào)頻率，確定敏感器件和敏感線網(wǎng)；

步驟33，所述電路網(wǎng)表與電路的物理版圖得到的電路網(wǎng)表進(jìn)行一致性比較，確定敏感器件和敏感線網(wǎng)物理連線的幾何位置。

4.如權(quán)利要求1所述的優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，在所述步驟2中，確定該電路中的關(guān)鍵器件和關(guān)鍵線網(wǎng)的步驟具體包括：

步驟41，根據(jù)所述電路網(wǎng)表進(jìn)行信號(hào)流分析，確定關(guān)鍵器件和關(guān)鍵線網(wǎng)；

步驟42，根據(jù)所述電路仿真結(jié)果中的信號(hào)變化的幅度和信號(hào)頻率，確定關(guān)鍵器件和關(guān)鍵線網(wǎng)；

步驟43，所述電路網(wǎng)表與根據(jù)電路的物理版圖得到的電路網(wǎng)表進(jìn)行一致性比較，確定關(guān)鍵器件和關(guān)鍵線網(wǎng)物理連線的幾何位置。

5.如權(quán)利要求2、3或4所述的優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，所述步驟3具體包括：

步驟51，根據(jù)一般器件的版圖信息和電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則，計(jì)算一般器件的保護(hù)距離；

步驟52，根據(jù)一般線網(wǎng)物理連線的金屬層次和幾何信息，以及所述電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則，計(jì)算一般線網(wǎng)的保護(hù)距離；

步驟53，根據(jù)所述關(guān)鍵器件的版圖信息和電路性能隨所述關(guān)鍵器件變化的敏感程度，以及所述電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則，計(jì)算所述關(guān)鍵器件的保護(hù)距離；

步驟54，根據(jù)所述關(guān)鍵線網(wǎng)物理連線的金屬層次、幾何信息和電路性能對(duì)所述關(guān)鍵線網(wǎng)的敏感程度，以及所述電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則，計(jì)算所述關(guān)鍵線網(wǎng)的保護(hù)距離；

步驟55，在所述一般器件和關(guān)鍵器件的保護(hù)距離之內(nèi)，以及一般線網(wǎng)和關(guān)鍵線網(wǎng)的保護(hù)距離之內(nèi)，分別設(shè)置填充金屬圖形的障礙。

6.如權(quán)利要求5所述的優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，所述步驟4具體包括：

步驟61，根據(jù)所述電路仿真結(jié)果，確定所述電路的物理版圖上的電磁源；

步驟62，對(duì)所述電磁源進(jìn)行三維電磁仿真，確定所述電路的物理版圖上的電磁熱點(diǎn)。

7.如權(quán)利要求6所述的優(yōu)化集成電路版圖電磁分布的方法，其特征在于，所述步驟5具體包括：

步驟71，根據(jù)所述電磁熱點(diǎn)尋找對(duì)其它器件和線網(wǎng)存在干擾的高頻器件和高頻線網(wǎng)；

步驟72，在所述高頻器件和高頻線網(wǎng)的鄰近區(qū)域，依據(jù)所述電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則插入接地金屬圖形；

步驟73，尋找收到電磁干擾的敏感器件和敏感線網(wǎng)；

步驟74，在所述敏感器件和敏感線網(wǎng)的鄰近區(qū)域，依據(jù)所述電路的物理設(shè)計(jì)規(guī)則插入接地金屬圖形。