[發明專利]薄膜晶體管陣列面板

有效

• 申請號: 201010210445.4
• 申請日: 2006-02-27
• 公開（公告）號: CN101881914A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 金彰洙;金湘甲;秦洪基;吳旼錫;崔熙煥;金時烈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種薄膜晶體管陣列面板，其包括：

柵極線；

數據線，與所述柵極線交叉；

存儲電極，與所述柵極線和所述數據線分離；

薄膜晶體管，連接至所述柵極線和所述數據線并具有漏電極；

像素電極，連接到所述漏電極；

第一絕緣層，位于所述薄膜晶體管之上并設置在所述像素電極下；以及

第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層上，具有開口，用于露出所述存儲電極上的所述第一絕緣層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第一絕緣層由無機材料制成。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第二絕緣層由有機材料制成。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第二絕緣層包括濾色器。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述存儲電極由與所述柵極線相同的層形成。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，用于連接所述像素電極和所述漏電極的接觸孔被設置在所述開口中。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其進一步包括：

屏蔽電極，由與所述像素電極相同的層形成。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極和所述像素電極被設置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述存儲電極由所述屏蔽電極形成，并且從所述屏蔽電極伸出。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述存儲電極與所述漏電極重疊。

11.根據權利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極被延伸至所述數據線。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極完全覆蓋所述數據線的邊界。

13.根據權利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極覆蓋所述柵極線的至少一部分。

14.根據權利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極被延伸至所述數據線和所述柵極線。

15.根據權利要求14所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極的寬度大于所述數據線的寬度并小于所述柵極線的寬度。

16.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述像素電極具有切口。

17.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述像素電極包括第一像素電極和耦合至所述第一像素電極的第二像素電極。

18.根據權利要求17所述的薄膜晶體管陣列面板，進一步包括：

耦合電極，連接至所述漏電極并與所述第二像素電極重疊，

其中，所述耦合電極僅通過所述第一絕緣層與所述第二像素電極重疊。