[發明專利]參考電壓調節器

有效

• 申請號: 201010208683.1
• 申請日: 2010-06-18
• 公開（公告）號: CN101930786A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 穆罕默德·努莫;史奇·羅曼諾夫斯基
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種參考電壓調節器，用于一嵌入式動態隨機隨取存儲器eDRAM中，使其以一參考電平進行VSS感測，包括：

一振蕩器；

一控制區塊；

一參考產生器；

一比較器；

一脈沖產生器；

一驅動器；以及

一參考電壓輸出；

其中該振蕩器用以在每次對該eDRAM進行存取之間傳送取樣與校正請求至該控制區塊，該控制區塊用以傳送一脈沖，該脈沖用以定義該脈沖產生器進行取樣與校正的時間長度，該參考產生器用以提供該參考電平至該比較器，而該比較器將該參考電平與該參考電壓輸出的取樣值進行比較，比較器用以決定該參考電壓輸出是否需要校正，并依照其決定傳送一校正請求至該脈沖產生器，該脈沖產生器用以依據該比較器發出的該校正請求產生一校正脈沖至該驅動器，而該驅動器用以調整該校正脈沖期間的的參考電壓輸出。

2.如權利要求1所述的參考電壓調節器，其中該參考電壓調節器用以調整一取樣校正率，使得當該參考電平與該參考電壓輸出間的一差值增大時提高取樣校正率。

3.如權利要求2所述的參考電壓調節器，其中該參考電壓調節器利用該比較器中的一內部延遲以調整該取樣校正率，而該內部延遲反比于該參考電平與該參考電壓輸出間的差值。

4.如權利要求1所述的參考電壓調節器，其中該參考電壓調節器也用以根據一存取而從該eDRAM中一存儲器控制邏輯傳送該取樣與校正請求至該控制區塊。

5.如權利要求4所述的參考電壓調節器，其中該脈沖產生器用以產生一校正脈沖，其具有一脈寬，當該存儲器控制邏輯傳送該取樣與校正請求時，該脈寬較長。

6.如權利要求4所述的參考電壓調節器，其中該控制區塊用以開啟一新比較周期，以在該存取之后校正該參考電壓輸出。

7.如權利要求1所述的參考電壓調節器，其中一差動放大器用以放大一該參考電平與該參考電壓輸出間的差值，并將該放大的差值傳送至該比較器。

8.如權利要求1所述的參考電壓調節器，其中該脈沖產生器用以重設該比較器，并在該脈沖產生器產生該校正脈沖時啟動一新比較周期。

9.如權利要求1所述的參考電壓調節器，其中一儲能電容耦接至該參考電壓輸出。

10.如權利要求1所述的參考電壓調節器，其中該振蕩器是一溫度控制振蕩器，而該參考電壓調節器用以在取樣與校正請求傳送至該控制區塊前，通過一除頻器從該振蕩器傳送該取樣與校正請求。