[發明專利]快閃記憶體的資料讀取方法有效
| 申請號: | 201010205264.2 | 申請日: | 2010-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN102298972A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發明(設計)人: | 黃千庭 | 申請(專利權)人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217 | 代理人: | 易釗 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 記憶體 資料 讀取 方法 | ||
技術領域
本發明涉及資料存儲裝置,更具體地說,涉及快閃記憶體的資料讀取方法。?
背景技術
快閃記憶體(flash?memory)是一種非揮發記憶體,亦即,當快閃記憶體不接受供電時,快閃記憶體中儲存的資料亦不會因失去電力而消失,因此快閃記憶體廣泛地被運用在電力有限的可攜式裝置供儲存資料。快閃記憶體包含多個記憶單元(memory?cell),每一記憶單元可儲存2N種電位。例如,每一記憶單元可儲存2種電位的快閃記憶體稱之為單層單元(single?level?cell,SLC)快閃記憶體,每一記憶單元可儲存4種電位的快閃記憶體稱之為多層單元(multilevel?cell,MLC)快閃記憶體,而每一記憶單元可儲存8種電位的快閃記憶體稱之為三層單元(triple?level?cell,TLC)快閃記憶體。?
當主機欲由快閃記憶體讀取資料時,快閃記憶體會依據一組讀取電壓以判定所欲讀取的記憶單元的電壓落在讀取電壓的哪一范圍,從而認定所欲讀取的記憶單元所儲存的資料值為何。舉例來說,當快閃記憶體為單層單元快閃記憶體時,對應的讀取電壓僅有一個分界值,當記憶單元的電壓高于該分界值時記憶單元的資料儲存值會被判定為位元0,而當記憶單元的電壓低于該分界值時記憶單元的資料儲存值會被判定為位元1。另外,當快閃記憶體為多?層單元快閃記憶體時,對應的讀取電壓有三個分界值,以依據記憶單元的電壓與三個分界值的相對大小辨別記憶單元的資料儲存值為位元11、01、00、或10。同樣的,當快閃記憶體為三層單元快閃記憶體時,對應的讀取電壓有七個分界值,以依據記憶單元的電壓與七個分界值的相對大小辨別記憶單元的資料儲存值為位元111、011、001、101、100、000、010、或110。如圖1所示為三層單元快閃記憶體的一組讀取電壓的示意圖。讀取電壓可因三層單元快閃記憶體的記憶單元所儲存的位元數目而不同。?
因此,讀取電壓決定了快閃記憶體的記憶單元的讀出資料值。亦即,一記憶單元所儲存的電壓經過不同的讀取電壓的判定可產生不同的資料讀出值。因此,當快閃記憶體收到主機讀取資料的命令而對儲存資料進行讀取,但讀出資料卻發生錯誤時,可嘗試運用不同的讀取電壓重新對儲存資料進行讀取。然而,如何自依據多個不同的讀取電壓所產生的多個不同的讀出資料值中選擇正確的讀出資料值是一個問題。因此,本發明提出一種快閃記憶體的資料讀取方法,以便于讀出資料卻發生錯誤時,仍可借修改讀取電壓而產生正確的讀出資料值。?
發明內容
本發明要解決的技術問題在于,針對現有技術的上述現有的快閃記憶體因讀取電壓的不同易出現讀取資料出現錯誤的缺陷,提供一種快閃記憶體的資料讀取方法。?
本發明解決其技術問題所采用的技術方案之一是:構造一種快閃記憶體的資料讀取方法,以解決現有技術存在的問題。該快閃記憶體包含多個頁(page),每一頁皆被寫入一筆該預定資訊。首先,以一原始讀取電壓自該快閃?記憶體讀取一位址,以得到一原始資料以及一原始錯誤修正碼。接著,以一第一錯誤修正程序(error?correction?process)依據該原始錯誤修正碼修正該原始資料的錯誤位元。當該第一錯誤修正程序無法修正該原始資料的錯誤位元時,以該原始讀取電壓自該快閃記憶體讀取對應于該原始資料的預定資訊,以得到一校正資訊(calibration?information)。接著,依據該校正資訊與該預定資訊的差別修改該原始資料以產生一修改資料。接著,依據該校正資訊與該預定資訊的差別修改該原始錯誤修正碼以產生一修改錯誤修正碼。接著,以一第二錯誤修正程序依據該修改錯誤修正碼修正該修改資料的錯誤位元。最后,當該第二錯誤修正程序成功地修正該原始資料的錯誤位元而得到一第二輸出資料時,將該第二輸出資料作為讀出資料而傳送至主機。?
在本發明所述的快閃記憶體的資料讀取的方法中,?
在本發明所述的快閃記憶體的資料讀取的方法中,其中對應于該原始資料的預定資訊與該原始資料儲存于該快閃記憶體的同一頁。?
在本發明所述的快閃記憶體的資料讀取的方法中,其中該方法還包括:?
當該第一錯誤修正程序無法修正該原始資料的錯誤位元時,以一修改讀取電壓自該快閃記憶體讀取該位址,以得到一重讀資料以及一重讀錯誤修正碼;?
其中該修改讀取電壓不同于該原始讀取電壓,且該修改資料依據該原始資料與該重讀資料的差異產生,而該修改錯誤修正碼依據該原始錯誤修正碼與該重讀錯誤修正碼的差異產生。?
在本發明所述的快閃記憶體的資料讀取的方法中,其中該修改資料的產生步驟包括:?
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