[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201010204290.3
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN102290511A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種光電元件及其制造方法，特別是指一種發光二極管及其制造方法。

背景技術

傳統的發光二極管包括一有源區、設置于有源區相對兩側的一n型氮化鎵(n-GaN)層及一p型氮化鎵(p-GaN)層，其中，n型氮化鎵(n-GaN)層相對有源區的外側上設置有一n型電極，p型氮化鎵(p-GaN)層相對有源區的另一外側上設置有一p型電極。n型電極及p型電極通電后，使n型氮化鎵(n-GaN)層與p型氮化鎵(p-GaN)層之間產生電勢，使電子自n型電極通過n型氮化鎵(n-GaN)層流向p型氮化鎵(p-GaN)層并與p型氮化鎵(p-GaN)層內的電洞結合。因電子傾向于二電極之間的最短或較低電阻值的路徑流動，但如果所述流動路徑面積發生減縮或分布不夠均勻時會導致電流擁擠現象，造成局部發熱過大，降低了發光二極管的壽命。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種性能穩定、發光效率高的發光二極管及制造該發光二極管的方法。

一種發光二極管，包括一導電基板及位于導電基板一側表面的一磊晶層，所述磊晶層包括依次堆疊于導電基板上的一p型氮化鎵層、一發光量子阱層及一n型氮化鎵層，所述磊晶層內設置有若干貫穿其上下表面的溝槽，所述n型氮化鎵層于遠離p型氮化鎵層的外側表面上覆蓋有一透明導電層，一金屬襯墊設置于所述透明導電層上。

一種發光二極管的制造方法，包括以下步驟：

提供一襯底；

于該襯底的一側表面上形成一磊晶層，所述磊晶層包括自所述襯底上依次堆疊形成的一n型氮化鎵層、一發光量子阱層、一p型氮化鎵層；

于所述p型氮化鎵層的外側表面形成一導電基板；

剝離所述襯底，使所述n型氮化鎵層一側的表面外露；

蝕刻所述磊晶層，使所述磊晶層內形成有若干貫穿其上下表面的溝槽；

提供一透明導電層，并將所述透明導電層貼設于所述n型氮化鎵層外露的表面上；及

提供一導電襯墊，將所述襯墊固定于所述透明導電層上。

本發明中，電子自襯墊向導電基板流動的過程，因透明導電層的電阻較n型氮化鎵層的電阻小，這些電子沿透明導電層的表面移動，然后自磊晶層未設置溝槽的上表面垂直向下移動，直至導電基板。由于電子的流動路徑面積擴張至透明導電層的整個表面而向下流動，故可以避免電流擁擠現象的發生，從而提高發光二極管的可靠性。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中發光二極管的制造過程的流程圖。

圖2為運用圖1中的方法制成的一發光二極管的剖面示意圖。

圖3為圖2的發光二極管的制造過程中，一襯底與一磊晶層一側結合的剖面示意圖。

圖4為一導電基板形成于圖3中磊晶層另一側的剖面示意圖。

圖5為圖4中襯底去除后的、磊晶層形成一矩陣后的剖面示意圖。

圖6為圖5中的磊晶層的俯視圖。

圖7為一透明導電層形成于圖5磊晶層頂端的剖面示意圖。

主要元件符號說明

導電基板????????????????????????????????10

磊晶層??????????????????????????????????30

P型氮化鎵層?????????????????????????????31

長方柱??????????????????????????????????32

發光量子阱層????????????????????????????33

n型氮化鎵層?????????????????????????????35

溝槽????????????????????????????????????????36、37

透明導電層??????????????????????????????????50

填充物??????????????????????????????????????70

襯底????????????????????????????????????????80

襯墊????????????????????????????????????????90

發光量子阱段????????????????????????????????331

側面????????????????????????????????????????3312