[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010204290.3
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN102290511A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴志成
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管，包括一導(dǎo)電基板及位于導(dǎo)電基板一側(cè)表面的一磊晶層，所述磊晶層包括依次堆疊于導(dǎo)電基板上的一p型氮化鎵層、一發(fā)光量子阱層及一n型氮化鎵層，其特征在于：所述磊晶層內(nèi)設(shè)置有若干貫穿其上下表面的溝槽，所述n型氮化鎵層于遠(yuǎn)離p型氮化鎵層的外側(cè)表面上覆蓋有一透明導(dǎo)電層，一金屬襯墊設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層上。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層完全覆蓋所述n型氮化鎵層的外側(cè)表面，所述襯墊設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層的中部。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層為一由銦錫氧化物或鎳金混合物制成的薄膜，其電阻小于所述n型氮化鎵層的電阻。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述溝槽分別沿所述磊晶層的縱向及橫向延伸，所述溝槽相互連通且在縱向及橫向上分別間隔設(shè)置。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述磊晶層的寬度為100μm至5000μm，所述溝槽的寬度為1至10μm。

6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述溝槽將磊晶層分割成若干等距離間隔的長方柱，這些長方柱形成一矩陣。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述溝槽內(nèi)填滿有填充物，所述填充物的上表面與所述n型氮化鎵層的外側(cè)表面共面。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述填充物為二氧化硅。

9.制造如權(quán)利要求1至8任一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟：

提供一襯底；

于該襯底的一側(cè)表面上形成一磊晶層，所述磊晶層包括自所述襯底上依次堆疊形成的一n型氮化鎵層、一發(fā)光量子阱層、一p型氮化鎵層；

于所述p型氮化鎵層的外側(cè)表面形成一導(dǎo)電基板；

剝離所述襯底，使所述n型氮化鎵層一側(cè)的表面外露；

蝕刻所述磊晶層，使所述磊晶層內(nèi)形成有若干貫穿其上下表面的溝槽；

提供一透明導(dǎo)電層，并將所述透明導(dǎo)電層貼設(shè)于所述n型氮化鎵層外露的表面上；及

提供一導(dǎo)電襯墊，將所述襯墊固定于所述透明導(dǎo)電層上。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：貼設(shè)所述透明導(dǎo)電層于所述n型氮化鎵層外露的表面之前，在所述溝槽內(nèi)填充有填充物。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述填充物為二氧化硅。

12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層完全覆蓋所述n型氮化鎵層外露的表面上，所述襯墊設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層的中部。

13.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述溝槽分別沿所述磊晶層的縱向及橫向延伸，所述溝槽相互連通且在縱向及橫向上分別間隔設(shè)置。

14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述溝槽將磊晶層分割成若干等距離間隔的長方柱，這些長方柱形成一矩陣。