[發(fā)明專利]掩模板制造方法、掩模制造方法、掩模板透明基片制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010203212.1
• 申請(qǐng)日: 2005-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN101846877A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木修;赤川裕之;田邊勝;川口厚;石橋直純
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/14
• 分類號(hào): G03F1/14
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 王永剛

本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?00510103988.5、申請(qǐng)日為2005年9月16日、發(fā)明名稱為“掩模板提供系統(tǒng)、掩模板、掩模板透明基片的制造方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本申請(qǐng)要求獲得先前日本專利申請(qǐng)JP?2004-269569的優(yōu)先權(quán)，本文引用其公開作用參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及能夠保證掩模板透明基片光學(xué)特性的掩模板提供系統(tǒng)、掩模板提供方法、掩模板透明基片制造方法和掩模板制造方法，以及一種掩模板，并進(jìn)一步涉及能夠防止轉(zhuǎn)移靶標(biāo)圖形缺陷的掩模制造方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，如下的微型半導(dǎo)體設(shè)備得到了發(fā)展，其曝光光源的波長(zhǎng)降低從而使曝光波長(zhǎng)達(dá)到了200nm或者更小。作為這種曝光光源的實(shí)例是ArF受激準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)193nm)和F2受激準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)157nm)。用于屏蔽這些曝光波長(zhǎng)的光和改變其相位的屏蔽膜(光屏蔽膜，不透明膜)和相移膜得到了快速的發(fā)展，并且已經(jīng)提出了多種膜材料(見例如JP-A-2002-162727和JP-A-2003-280168)。

進(jìn)一步，還提出了多種能夠降低在形成這些膜時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)的光學(xué)特性(例如透射率和相差)差異的制造方法(見例如JP-A-2002-90978)。因此，膜的光學(xué)特性差異目前已經(jīng)得到了抑制。

然而，在測(cè)量已制造掩模板(mask?blank)的光學(xué)特性(透射率，反射率等)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)問(wèn)題，即其中有一部分比例的掩模板不滿足光學(xué)特性差異的規(guī)格。

而且，在將形成于掩模上的掩模圖形轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移靶標(biāo)上以便通過(guò)使用曝光系統(tǒng)形成轉(zhuǎn)移圖形時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)問(wèn)題，即盡管在掩模上形成的掩模圖形中沒有發(fā)現(xiàn)圖形缺陷，但是轉(zhuǎn)移靶標(biāo)會(huì)產(chǎn)生圖形缺陷。

本發(fā)明人試圖從各種方面尋找造成這些問(wèn)題的原因，結(jié)果發(fā)現(xiàn)其原因是由于透明基片自身的吸收導(dǎo)致掩模板透明基片中產(chǎn)生透射率差異，這個(gè)問(wèn)題一般還沒有受到人們的注意。

下文中，將分別詳細(xì)地說(shuō)明為什么會(huì)制造出偏離光學(xué)特性差異規(guī)格的掩模板的原因，以及產(chǎn)生轉(zhuǎn)移圖形缺陷的原因，這些是從本發(fā)明人的研究中得來(lái)的。

目前，人造石英玻璃被用作適合于使用ArF受激準(zhǔn)分子激光器作為曝光光源并且正在快速發(fā)展的掩模板的基片材料。該人造石英玻璃還用作適合于使用KrF受激準(zhǔn)分子激光器作為曝光光源并且實(shí)際上已經(jīng)應(yīng)用的掩模板的基片材料。KrF受激準(zhǔn)分子激光器的曝光波長(zhǎng)是248nm。因此，即使在人造石英玻璃中存在制造差異，6025號(hào)(板厚度6.35mm)的透射率(板厚度方向上的透射率)也為88％或者更多(波長(zhǎng)λ＝240nm)，這不會(huì)造成問(wèn)題。

然而，當(dāng)曝光光源的波長(zhǎng)降低到短波長(zhǎng)，例如193nm時(shí)，6025號(hào)(板厚度6.35mm)的透射率(板厚度方向上的透射率)會(huì)由于基片自身對(duì)曝光光線的吸收而有時(shí)降低到80％，該吸收是由于人造石英玻璃的制造差異等造成的。

進(jìn)一步，在目前的狀況下，形成薄膜的制造差異還不能夠完全克服。因此可以認(rèn)為，由于基片材料透射率差異和薄膜光學(xué)特性差異的協(xié)同作用，會(huì)制造出如上所述的不滿足光學(xué)特性差異規(guī)格的掩模板。

另一方面，對(duì)于掩模，當(dāng)使由于人造石英玻璃基片自身的吸收而使透射率降低的區(qū)域包含在遮光膜圖形區(qū)域內(nèi)時(shí)，它將不會(huì)對(duì)轉(zhuǎn)移靶標(biāo)造成影響。然而，當(dāng)這種區(qū)域暴露于沒有形成掩模圖形的區(qū)域內(nèi)時(shí)，或者當(dāng)這種區(qū)域跨越了掩模圖形部分時(shí)，則會(huì)使本來(lái)不應(yīng)當(dāng)屏蔽曝光光線的部分發(fā)生屏蔽從而導(dǎo)致曝光光線相對(duì)于轉(zhuǎn)移靶標(biāo)的強(qiáng)度發(fā)生變化。這可以認(rèn)為是盡管在掩模中沒有發(fā)現(xiàn)圖形缺陷但是在轉(zhuǎn)移靶標(biāo)內(nèi)產(chǎn)生了圖形缺陷的原因。

近年來(lái)，掩模圖形已經(jīng)變得非常精細(xì)而且更加復(fù)雜。因此，即使在掩模上能夠識(shí)別出會(huì)影響圖形轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移靶標(biāo)的缺陷，通常也不能執(zhí)行圖形替換或修正，并且在這種情況下，需要從開始從新制造掩模。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種掩模板提供系統(tǒng)，一種掩模板提供方法，一種掩模板透明基片制造方法，一種掩模板制造方法，和一種掩模制造方法，其能夠通過(guò)保證掩模板透明基片和掩模板的光學(xué)特性防止掩模板偏離其光學(xué)特性規(guī)格以及防止轉(zhuǎn)移靶標(biāo)發(fā)生圖形缺陷。

為了獲得上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種掩模板提供系統(tǒng)，其包括：

基片信息存儲(chǔ)裝置，其用于在將掩模板透明基片提供給掩模板制造部分的同時(shí)，以和掩模板透明基片相關(guān)聯(lián)的方式存儲(chǔ)掩模板透明基片相對(duì)于曝光波長(zhǎng)的光學(xué)特性信息；

掩模板信息存儲(chǔ)裝置，其用于在將掩模板提供給掩模制造部分的同時(shí)，以和掩模板相關(guān)聯(lián)的方式存儲(chǔ)掩模板相對(duì)于曝光波長(zhǎng)的光學(xué)特性信息。