[發明專利]掩模板制造方法、掩模制造方法、掩模板透明基片制造方法

有效

• 申請號: 201010203212.1
• 申請日: 2005-09-16
• 公開（公告）號: CN101846877A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 鈴木修;赤川裕之;田邊勝;川口厚;石橋直純
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永剛

1.一種掩模板制造方法，其特征在于，包括：

準備取得了包括相對于曝光波長的基片面內光學特性差異的第一光學特性信息的掩模板透明基片的工序；

根據上述掩模板透明基片的第一光學特性信息在上述掩模板透明基片上形成成為掩模圖形的薄膜的工序。

2.根據權利要求1所述的掩模板制造方法，其特征在于，

根據上述掩模板透明基片的第一光學特性信息選擇在掩模板透明基片上形成的薄膜。

3.根據權利要求1所述的掩模板制造方法，其特征在于，

上述第一光學特性信息包括透射率。

4.一種掩模板制造方法，其特征在于，包括：

對上述薄膜照射包括曝光波長的波長的光而取得掩模板的第二光學特性信息的工序；以及

保存上述掩模板與該掩模板的第二光學特性信息的對應關系的工序。

5.根據權利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于，

上述掩模板的第二光學特性信息包括相對于曝光波長的薄膜平面內的光學特性差異。

6.根據權利要求5所述的掩模板制造方法，其特征在于，

上述第二光學特性信息包括透射率和/或相位差。

7.一種掩模制造方法，其特征在于，包括：

準備具有在取得了包括相對于曝光波長的基片面內光學特性差異的第一光學特性信息的掩模板透明基片上形成的薄膜的掩模板的工序；以及

對上述薄膜構圖而在上述掩模板透明基片上形成掩模圖形的工序。

8.根據權利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于，

根據上述掩模板透明基片的第一光學特性信息修正在所述掩模板透明基片上形成的掩模圖形的數據或者確定掩模圖形的形成位置。

9.根據權利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于，

上述第一光學特性信息包括透射率。

10.根據權利要求7所述的掩模制造方法，其特征在于，

在準備上述掩模板的工序中，上述掩模板取得了包括相對于曝光波長的薄膜面內的光學特性差異的第二光學特性信息。

11.根據權利要求10所述的掩模制造方法，其中：

根據上述掩模板的第二光學特性信息修正在所述掩模板透明基片上形成的掩模圖形的數據或者確定掩模圖形的形成位置。

12.根據權利要求10所述的掩模制造方法，其特征在于，

上述第二光學特性信息包括透射率和/或相位差。

13.根據權利要求7至12中任一項所述的掩模制造方法，其特征在于，

根據上述掩模板透明基片的第一光學特性信息和/或上述掩模板的第二光學特性信息，對生產半導體的器件生產部門保證掩模的光學特性。

14.一種掩模板透明基片制造方法，其特征在于，包括以下工序：

鏡面拋光掩模板透明基片的表面，從而能夠測量其相對于曝光波長的光學特性；以及

用波長等于曝光波長的光照射上述經過鏡面拋光的基片表面，由此獲得包括相對于曝光波長的基片面內的光學特性差異的第一光學特性信息。

15.根據權利要求14所述的掩模板透明基片制造方法，其特征在于，

上述光學特性包括透射率。

16.根據權利要求14或15所述的掩模板透明基片制造方法，包括：

保存上述掩模板透明基片與該掩模板透明基片的第一光學特性信息的對應關系的工序。

17.根據權利要求14或15所述的掩模板透明基片制造方法，其中：

上述曝光波長為140nm-200nm。

18.根據權利要求14或15所述的掩模板透明基片制造方法，其中：

上述掩模板透明基片的材料是人造石英玻璃。