[發明專利]一種在硅片上引入位錯的方法

無效

• 申請號: 201010202367.3
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN101882573A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 楊德仁;項略略;李東升;金璐
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L21/263
• 分類號: H01L21/263
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，包括：

用能量束輻照硅片，所述的能量束足以破壞硅晶格，在受能量束輻照的區域產生位錯。

2.根據權利要求1所述的在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，所述的能量束為單束或多束。

3.根據權利要求1所述的在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，所述的能量束的功率不小于0.01W/mm²。

4.根據權利要求1所述的在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，所述的能量束包括電子束、離子束、電磁波束、α射線束、中子束或光子束。

5.根據權利要求1所述的在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，所述的離子束包括硅離子束、鍺離子束、氧離子束、氫離子束、氖離子束、氮離子束、碳離子束、氬離子束、硼離子束、磷離子束、砷離子束或銻離子束。

6.根據權利要求4所述的在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，所述的能量束為電子束。

7.根據權利要求6所述的在硅片上引入位錯的方法，其特征在于，所述的電子束的產生設備采用電子束蒸發設備，電子束蒸發設備的電子束束流為0.1mA～1A，槍高壓為0.1kV～10kV，電子束束斑直徑為0.1mm～100mm，電子束單位面積功率為0.01W/mm²～1000W/mm²，背底真空度為1Pa～5×10^-4Pa。