[發(fā)明專利]一種霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010202127.3
• 申請(qǐng)日: 2010-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101887106A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅立權(quán);楊連宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 燦瑞半導(dǎo)體(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R33/02
• 分類(lèi)號(hào): G01R33/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 鄧琪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置，以在SOT23封裝測(cè)試時(shí)對(duì)量產(chǎn)的霍爾芯片進(jìn)行磁通量的測(cè)試。

背景技術(shù)

霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，當(dāng)電流以垂直于外磁場(chǎng)的方向通過(guò)位于該磁場(chǎng)中的導(dǎo)體時(shí)，在導(dǎo)體的垂直于磁場(chǎng)和電流方向的兩個(gè)端面之間會(huì)出現(xiàn)電勢(shì)差，這種現(xiàn)象叫做霍爾效應(yīng)。霍爾傳感器即是利用霍爾元件基于霍爾效應(yīng)原理而將被測(cè)量的物理量(如電流、磁場(chǎng)、位移、壓力等)轉(zhuǎn)換成電動(dòng)勢(shì)輸出的一種傳感器。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，無(wú)觸點(diǎn)，可靠性高，易微型化，因此，在測(cè)量技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。在霍爾產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中，需要對(duì)霍爾產(chǎn)品進(jìn)行磁通量的測(cè)試。

目前在霍爾產(chǎn)品的磁通量測(cè)試中，通常通過(guò)對(duì)被測(cè)霍爾芯片施加外磁場(chǎng)的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)其磁通量的測(cè)試。一般采用雙線圈加磁和單線圈加磁兩種方法施加外磁場(chǎng)，雙線圈加磁方法是將雙線圈安裝于測(cè)試夾具兩邊，將被測(cè)芯片平行放置于兩線圈之間(如圖4所示)，兩線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過(guò)被測(cè)芯片；而單線圈加磁方法是將線圈水平放置于水平面上，將被測(cè)芯片平行放置于該線圈之上(如圖5所示)，單線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過(guò)被測(cè)芯片。在SOT23封裝測(cè)試中，由于傳統(tǒng)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)并沒(méi)有安裝磁場(chǎng)，因此無(wú)法對(duì)霍爾芯片進(jìn)行磁通量的測(cè)試。并且傳統(tǒng)的SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的測(cè)試頭和吸嘴部分都是導(dǎo)磁性材料制成的，因此即便在SOT23封裝測(cè)試中對(duì)霍爾芯片施加磁場(chǎng)以進(jìn)行磁通量測(cè)試，前述所使用的導(dǎo)磁性材料會(huì)在加磁后被永久磁化，導(dǎo)致在不產(chǎn)生外加磁場(chǎng)的時(shí)候，也會(huì)有剩磁出現(xiàn)，從而帶來(lái)測(cè)試偏差，產(chǎn)生誤判。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種可用于在SOT23封裝測(cè)試中實(shí)現(xiàn)磁通量測(cè)試的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置。

本發(fā)明的一種用于SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置包括測(cè)試支架；固定在所述測(cè)試支架的上端的測(cè)試座；設(shè)置在所述測(cè)試座中用于放置被測(cè)霍爾芯片的測(cè)試夾具；與所述測(cè)試夾具電連接的多個(gè)金手指；位于所述金手指上方的蓋板，所述金手指固定在所述蓋板與所述測(cè)試座之間；以及繞在所述測(cè)試支架上的線圈。

此外，所述線圈為單線圈。所述測(cè)試夾具的高度與所述線圈的上端表面齊平。所述測(cè)試支架由鋁制成。所述測(cè)試夾具由銅制成。所述測(cè)試座由環(huán)氧樹(shù)脂制成。所述蓋板由環(huán)氧樹(shù)脂制成。所述測(cè)試座通過(guò)玻璃螺絲固定在所述測(cè)試支架上。所述金手指通過(guò)玻璃螺絲固定在所述蓋板與所述測(cè)試座之間。

通過(guò)本發(fā)明的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置對(duì)傳統(tǒng)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)進(jìn)行加磁，以在SOT23封裝測(cè)試中實(shí)現(xiàn)對(duì)霍爾芯片的磁通量測(cè)試。

本發(fā)明還采用非導(dǎo)磁性材料對(duì)霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置的部分部件進(jìn)行了無(wú)磁化改造，消除了剩磁現(xiàn)象，減少了測(cè)試偏差和誤判，以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的磁通量測(cè)試。

附圖說(shuō)明

圖1示出了本發(fā)明的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置的示意圖。

圖2示出了使用本發(fā)明霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置的轉(zhuǎn)盤(pán)式測(cè)試分選機(jī)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3示出了圖2中的測(cè)試分選機(jī)的轉(zhuǎn)盤(pán)部分的正視圖。

圖4示出了采用雙線圈進(jìn)行加磁的示意圖。

圖5示出了采用單線圈進(jìn)行加磁的示意圖。

附圖標(biāo)記：

1、測(cè)試裝置????2、測(cè)試座

3、測(cè)試夾具????4、線圈

5、金手指??????6、蓋板

7、螺絲?????????8、螺絲

9、測(cè)試支架?????10、分選機(jī)

11、轉(zhuǎn)盤(pán)????????12、吸嘴

13、底座????????14、工作臺(tái)

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖1所示，示出了根據(jù)本發(fā)明的用于SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置1。該測(cè)試裝置1包括一測(cè)試支架9(如圖2所示)，在該測(cè)試支架上繞有一線圈4，且在該測(cè)試支架的上端安裝有一測(cè)試座2，測(cè)試座2通過(guò)螺絲8固定在測(cè)試支架上。在該測(cè)試座2中設(shè)有一用于放置被測(cè)霍爾芯片的測(cè)試夾具3。該測(cè)試裝置1還包括與測(cè)試夾具3電連接以便與放置在該測(cè)試夾具3中的被測(cè)芯片的各引腳分別電性接觸的兩排金手指5，所述金手指即是被測(cè)芯片引腳與外部測(cè)試線路的連接部件，所有的信號(hào)都是通過(guò)金手指進(jìn)行傳送的。金手指由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實(shí)際上是在覆銅板上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸬目寡趸詷O強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性也很強(qiáng)。此外，該測(cè)試裝置1還包括分別位于兩排金手指5上方的兩個(gè)蓋板6，每個(gè)金手指5分別通過(guò)一個(gè)螺絲7固定在測(cè)試座2與蓋板6之間。