[發明專利]具有光波導結構的發射端模塊和接收端模塊有效
| 申請號: | 201010200645.1 | 申請日: | 2010-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN101876732A | 公開(公告)日: | 2010-11-03 |
| 發明(設計)人: | 伍茂仁;藍孝晉;李韻芝;張家齊;蕭旭良;陳進達;沈帛寬;盧冠甫;張彥中;常振宇 | 申請(專利權)人: | 伍茂仁 |
| 主分類號: | G02B6/42 | 分類號: | G02B6/42 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 許志勇 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 波導 結構 發射 模塊 接收 | ||
1.一種發射端模塊,應用于對至少一電信號的轉換與傳輸上,該發射端模塊包含有:
一半導體基板;
一第一膜層,形成于該半導體基板的第一表面上,用以提供電絕緣;
一電信號傳輸單元,形成于該第一膜層上,用以傳輸對應的電信號;
至少一光源單元,設置于該電信號傳輸單元上并和該電信號傳輸單元完成電連接,用以接收該電信號,并將該電信號轉換成對應的一光信號后發射;
一第二膜層,形成于該半導體基板的第二表面上;以及
一第一光波導結構,形成于該第二膜層上,該第一光波導結構包含有一反射面和一光波導結構主體,該反射面是位于該第一光波導結構的第一端上,且該反射面的位置是和對應的光源單元相對應;
其中該光信號能穿透該第一膜層、該半導體基板和該第二膜層而進入該第一光波導結構的第一端,并經由該反射面的反射而進入該光波導結構主體中以進行傳輸。
2.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該半導體基板為一種雙面拋光的單晶硅基板。
3.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該光源單元為一發光二極管、一半導體激光器或一垂直腔面發射激光器。
4.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一膜層、該第二膜層為一介電質膜層。
5.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該發射端模塊是應用于一印刷電路板上的設置,該印刷電路板并能和該發射端模塊完成電連接后,提供該電信號。
6.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該發射端模塊包含有一驅動電路,該驅動電路設置于該第一膜層上或一印刷電路板上,并和該電信號傳輸單元完成電連接,用以傳輸該電信號,且該驅動電路并通過傳輸該電信號以驅動該光源單元。
7.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該電信號傳輸單元并形成于該半導體基板的第一表面上,而該發射端模塊包含有一驅動電路,該驅動電路設置于該電信號傳輸單元上,并和該電信號傳輸單元完成電連接,用以傳輸該電信號,且該驅動電路并通過傳輸該電信號以驅動該光源單元,該驅動電路并可利用系統單芯片方式與對應的集成電路整合,而具有運算功能與驅動功能。
8.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該電信號傳輸單元為一金屬材質,而該電信號傳輸單元的部分是靠附于該光源單元下方,用以提供該光源單元發射該光信號時的散熱功能。
9.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一光波導結構為一硅材質,而該反射面和該第二膜層間有一45度的夾角。
10.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該光信號經該反射面的反射后,是以全反射方式于該光波導結構主體中進行傳輸。
11.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一光波導結構和該半導體基板為一體成型,而該反射面能以一半導體蝕刻方式完成。
12.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一光波導結構的第二端是和一光纖完成連接,用以將該光信號傳輸至該光纖中。
13.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一光波導結構的第二端是和一印刷電路板的一第二光波導結構完成連接,用以將該光信號傳輸至該第二光波導結構中。
14.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一光波導結構的第二端上形成有一第三膜層,該第三膜層為單層膜或多層膜,用以提供抗反射和增加穿透率并提升對波長、入射角度或低極化選擇性的公差容忍度。
15.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該第一膜層、該第二膜層為單層膜或多層膜,用以提供抗反射和增加穿透率并提升對波長、入射角度或低極化選擇性的公差容忍度。
16.如權利要求1所述的發射端模塊,其特征在于,該發射端模塊包含有:
一第二光波導結構,形成于該第二膜層上;以及
一光檢測單元,設置于該電信號傳輸單元上并和該電信號傳輸單元完成電連接;
其中該第二光波導結構包含有對應的光波導結構主體和對應的反射面,用以傳輸對應的另一光信號,而該光檢測單元是和該第二光波導結構的反射面的位置相對應,用以接收對應的光信號并轉換成對應的另一電信號。
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