[發(fā)明專利]波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法、波長轉(zhuǎn)換片的制造方法、碲化鎘系太陽電池用波長轉(zhuǎn)換片及碲化鎘系太陽電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010199837.5 | 申請日: | 2010-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN101908572A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 坂本亨枝;長澤德 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/055 | 分類號: | H01L31/055;H01L31/04 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張楠;陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波長 轉(zhuǎn)換 光學 特性 控制 方法 制造 碲化鎘系 太陽電池 | ||
1.一種波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法,其對波長轉(zhuǎn)換片的斯托克斯位移進行控制,所述波長轉(zhuǎn)換片含有透明樹脂和熒光體,而且通過吸收除目標波段以外的特定波段的光并發(fā)出目標波段的光來轉(zhuǎn)換波長,其特征在于,
所述熒光體含有具有苝骨架的熒光體;
所述波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法通過將所述具有苝骨架的熒光體相對于所述透明樹脂的濃度在0.5~3.5重量%的范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié),從而改變所述斯托克斯位移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法,其中,所述具有苝骨架的熒光體在分子內(nèi)具有吸電子基團。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法,其中,所述吸電子基團是從由氰基、硝基、鹵素、羥基及磺基構(gòu)成的組中選擇的至少一種吸電子基團。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法,其中,所述透明樹脂具有重復單元,所述重復單元含有羰基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法,其中,所述透明樹脂是聚甲基丙烯酸甲酯或其取代物。
6.一種波長轉(zhuǎn)換片的制造方法,其特征在于,所述波長轉(zhuǎn)換片的制造方法具有光學特性控制工序,所述光學特性控制工序是通過權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換片的光學特性控制方法來實施的。
7.一種碲化鎘系太陽電池用波長轉(zhuǎn)換片,其特征在于,所述碲化鎘系太陽電池用波長轉(zhuǎn)換片含有透明樹脂和熒光體,所述波長轉(zhuǎn)換片是通過權(quán)利要求6所述的波長轉(zhuǎn)換片的制造方法制造而成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碲化鎘系太陽電池用波長轉(zhuǎn)換片,其中,吸收光譜的最大吸收峰波長下的吸光度處于1~4的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碲化鎘系太陽電池用波長轉(zhuǎn)換片,其中,厚度處于5~100μm的范圍內(nèi)。
10.一種碲化鎘系太陽電池,其包含波長轉(zhuǎn)換片,其特征在于,所述波長轉(zhuǎn)換片是權(quán)利要求7所述的碲化鎘系太陽電池用波長轉(zhuǎn)換片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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