[發(fā)明專利]防止霧化的半導體裝置及工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010198687.6
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN102214547A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 黃沛霖;王逸銘;黃浚彥
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京市浩天知識產(chǎn)權代理事務所 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種防止霧化的半導體工藝，包含：

提供具有反應室的曝光機臺，光觸媒層設置于該反應室中；以及

于該反應室中曝光晶片，并且同時活化該光觸媒層。

2.如權利要求1所述的防止霧化的半導體工藝，其中該曝光機臺包含設置于該反應室中的光掩模，并且該光觸媒層涂布于該光掩模上。

3.如權利要求2所述的防止霧化的半導體工藝，其中該光掩模包含：

基板；

電路圖案區(qū)，設于該基板上；以及

不透光區(qū)，圍繞該電路圖案區(qū)，其中該光觸媒層涂布于該不透光區(qū)。

4.如權利要求3所述的防止霧化的半導體工藝，其中該光觸媒層與該不透光區(qū)完全重疊。

5.如權利要求3所述的防止霧化的半導體工藝，其中該光掩模另包含對準標記，該對準標記設置于該基板的邊緣。

6.如權利要求1所述的防止霧化的半導體工藝，其中該光觸媒層選自下列材料構成的組：氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、硫化鎘和硫化鋅。

7.一種防止霧化的半導體裝置，包含：

基板；

電路圖案區(qū)，設于該基板上；以及

光觸媒層，設置于該基板上。

8.如權利要求7所述的防止霧化的半導體裝置，另包含不透光區(qū)，該不透光區(qū)圍繞該電路圖案區(qū)，其中該光觸媒層涂布于該不透光區(qū)。

9.如權利要求8所述的防止霧化的半導體裝置，其中該光觸媒層與該不透光區(qū)完全重疊。

10.如權利要求7所述的防止霧化的半導體裝置，另包含對準標記，該對準標記設置于該基板的邊緣。

11.如權利要求7所述的防止霧化的半導體裝置，其中該光觸媒層選自下列材料構成的組：氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、硫化鎘和硫化鋅。

12.如權利要求11所述的防止霧化的半導體裝置，其中該光觸媒層為銳鈦礦相氧化鈦。