[發明專利]基于體硅的電容及其制造方法

無效

• 申請號: 201010198435.3
• 申請日: 2010-06-11
• 公開（公告）號: CN101908564A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 許丹
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種基于體硅的電容，其特征在于：所述電容置于體硅上，所述電容包括：

第一電極結構，具有第一電極以及由所述第一電極延伸形成的若干彼此平行的第一延伸電極；

第二電極結構，具有第二電極以及由所述第二電極延伸形成的若干彼此平行的第二延伸電極；

所述第一延伸電極與所述第二延伸電極依次交互穿插。

2.如權利要求1所述的電容，其特征在于：所述第一延伸電極與所述第二延伸電極之間留有間隙。

3.如權利要求2所述的電容，其特征在于：所述第一延伸電極與所述第二延伸電極之間形成的各個間隙的寬度相等。

4.如權利要求1所述的電容，其特征在于：所述第一電極結構和所述第二電極結構的材質為鋁或銅。

5.如權利要求1所述的電容，其特征在于：所述體硅包括：

背襯底；

在所述背襯底的表面上形成的絕緣層；

在所述絕緣層上形成的溝槽氧化物；

在所述溝槽氧化物上形成的多晶硅層；

在所述多晶硅上方形成的介質層。

6.如權利要求5所述的電容，其特征在于：所述背襯底為硅。

7.如權利要求5所述的電容，其特征在于：所述絕緣層為氧化層。

8.如權利要求7所述的電容，其特征在于：所述氧化層為二氧化硅。

9.如權利要求5所述的電容，其特征在于：所述多晶硅層為CoSi。

10.一種如權利要求1所述基于體硅的電容的制造方法，其特征在于，包括步驟：

在晶圓上形成背襯底；

在所述背襯底的表面上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成溝槽；

在所述溝槽內沉積形成溝槽氧化物；

在所述溝槽氧化物表面上形成多晶硅；

在所述多晶硅上方形成介質層；

在所述介質層上沉積金屬層；

刻蝕部分金屬層，使剩余部分金屬層形成所述電容。