[發明專利]背面照光的CMOS圖像傳感器

無效

• 申請號: 201010197523.1
• 申請日: 2010-06-01
• 公開（公告）號: CN102270646A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 霍介光
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種背面照光的CMOS圖像傳感器，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有第一表面和與之相對的第二表面；

所述半導體襯底包括至少一個像素單元區域；

隔離結構，位于相鄰像素單元區域之間；

其特征在于，所述隔離結構為深溝槽隔離結構，所述深溝槽隔離結構貫穿

所述半導體襯底的第一表面和第二表面。

2.如權利要求1所述的背面照光的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述深溝槽隔離結構的寬度小于等于0.25微米。

3.如權利要求1所述的背面照光的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述深溝槽隔離結構的深度范圍為1.5～4微米。

4.如權利要求1所述的背面照光的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述深溝槽隔離結構內填充物為電介質。

5.如權利要求4所述的背面照光的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述電介質的折射率小于所述半導體襯底的折射率的0.8倍。

6.如權利要求1所述的背面照光的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述半導體襯底的依次形成有濾光片和微透鏡，所述濾光片和微透鏡位于所述半導體襯底的第二表面。

7.一種背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底具有第一表面和與之相對的第三表面，所述半導體襯底包括至少一個像素單元區域；

沿所述第一表面在所述半導體襯底內形成深溝槽隔離結構，所述深溝槽隔離結構具有沿槽深方向的底部，所述槽深方向垂直于所述第一表面和第三表面，所述深溝槽隔離結構位于相鄰的像素單元區域之間；

以所述深溝槽隔離結構的底部為停止層，沿所述半導體襯底第三表面對所述半導體襯底進行減薄，停止在第二表面，所述第二表面露出所述深溝槽隔離結構的底部。

8.如權利要求7所述的背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述減薄方法包括化學機械研磨的方法。

9.如權利要求7所述的背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述沿所述第一表面在所述半導體襯底內形成深溝槽隔離結構包括步驟：

在第一表面的相鄰像素單元區域之間形成具有第一開口的硬掩膜層；沿所述第一開口對半導體襯底進行刻蝕，在所述半導體襯底內形成第二開口；

在所述第二開口內填充電介質，

去除所述硬掩膜層，形成深溝槽隔離結構。

10.如權利要求9所述的背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述深溝槽隔離結構的深度范圍為1.5～4微米。

11.如權利要求9所述的背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述深溝槽隔離結構的寬度小于等于0.25微米。

12.如權利要求9所述的背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述電介質的折射率小于所述半導體襯底的折射率的0.8倍。

13.如權利要求7所述的背面照光的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，還包括：在與像素單元區域沿所述第二表面依次形成濾光片和微透鏡，所述濾光片和微透鏡的制作方法包括光刻步驟，所述光刻步驟中以所述深溝槽隔離結構作為光刻對準的標記。