[發(fā)明專利]碳化硅單晶的制造裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010196460.8 | 申請日: | 2010-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN101906664A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小島淳;木藤泰男;索尼婭·安吉利斯;安布羅焦·佩斯納提;約瑟夫·塔倫齊 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社電裝;LPE股份公司 |
| 主分類號: | C30B29/36 | 分類號: | C30B29/36 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碳化硅 制造 裝置 | ||
1.一種碳化硅單晶的制造裝置,其具備:
反應(yīng)容器(10)、
配置在反應(yīng)容器(10)內(nèi)、且由碳化硅單晶基板構(gòu)成的晶種(5)、
對原料氣體(3)進行加熱的加熱容器(9);
晶種(5)被配置在反應(yīng)容器(10)的上方;
碳化硅的原料氣體(3)從反應(yīng)容器(10)的下方供給,到達晶種(5),在晶種(5)的表面使碳化硅單晶(6)生長;
加熱容器(9)相對于反應(yīng)容器(10)被配置在所述原料氣體(3)的流動路徑上游側(cè);
加熱容器(9)具備:中空筒狀部件(9c)、原料氣體入口(9a)、原料氣體供給噴嘴(9b)和多個擋板(9d~9i);
原料氣體入口(9a)向中空筒狀部件(9c)內(nèi)導(dǎo)入所述原料氣體(3);
原料氣體供給噴嘴(9b)從所述中空筒狀部件(9c)向所述反應(yīng)容器(10)中排出原料氣體(3);
多個擋板(9d~9i)在從原料氣體入口(9a)到原料氣體供給噴嘴(9b)之間被配置在原料氣體(3)的流動路徑上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
加熱容器(9)具有用f定義的原料氣體(3)的平均流路長度;
平均流路長度是加熱容器(9)內(nèi)的原料氣體(3)的流動路徑的平均長度;
平均流路長度與用H定義的從原料氣體入口(9a)連結(jié)到原料氣體供給噴嘴(9b)的直線距離具有f>1.2H的關(guān)系。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
多個擋板(9d~9f)與中空筒狀部件(9c)的中心軸交叉,以該中心軸作為排列方向多段排列地配置;
多個擋板(9d~9f)具有位于最靠近原料氣體入口(9a)側(cè)的最下方的擋板(9d);
最下方的擋板(9d)在從上方看加熱容器(9)時覆蓋原料氣體入口(9a)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
多個擋板(9d~9f)具有位于最靠近原料氣體供給噴嘴(9b)側(cè)的最上方的擋板(9f);
最上方的擋板(9f)在從下方看加熱容器(9)時覆蓋原料氣體供給噴嘴(9b)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
多個擋板(9d~9f)具有配置于最下方的擋板(9d)與最上方的擋板(9f)之間的中間擋板(9e);
中間擋板(9e)具有圓形狀擋板(9e)和環(huán)狀擋板;
圓形狀擋板(9e)與最下方的擋板(9d)相鄰;
環(huán)狀擋板與圓形狀擋板(9e)相鄰;
環(huán)狀擋板具有開口部;
圓形狀擋板及環(huán)狀擋板重復(fù)交替地配置;
圓形狀擋板的半徑大于位于其下方的環(huán)狀擋板的開口部的半徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求3~5中任一項所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
位于上方的擋板彼此間的間隔為位于下方的擋板彼此間的間隔以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求3~5中任一項所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
還具備多個子擋板(9g~9i);
多個子擋板(9g~9i)被配置在多段排列地配置的擋板(9d~9f)彼此之間及/或中空筒狀部件(9c)的底部與最下方的擋板(9d)之間;
各子擋板(9g~9i)與多段排列地配置的擋板(9d~9f)交叉;
各子擋板(9g~9i)在也與中空筒狀部件(9c)的中心軸的徑向交叉的方向上延伸地設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
各子擋板(9g~9i)為以中空筒狀部件(9c)的中心軸為中心的筒狀;
各子擋板(9g~9i)將多段排列地配置的擋板(9d~9f)彼此之間及/或所述中空筒狀部件(9c)的底部與所述最下方的擋板(9d)之間連結(jié);
各子擋板(9g~9i)具備構(gòu)成原料氣體(3)的流動路徑的開口部(9ga~9ia)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳化硅單晶的制造裝置,其中,
各子擋板(9g~9i)被每種多個排列地配置在多段排列地配置的擋板(9d~9f)彼此之間及/或所述中空筒狀部件(9c)的底部與所述最下方的擋板(9d)之間。
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