[發明專利]一種InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜太陽能電池的制備方法

無效

• 申請號: 201010193582.1
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN101901854A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 吳志浩;宋明輝;陳長清;方妍妍;戴江南;余晨輝;熊暉
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜太陽能電池的制備方法，具體為：

(1)在Ge或GaAs襯底上外延生長Al_xGa_1-xAs作為犧牲層，0.4＜x≤1；

(2)在犧牲層上外延生長形成底部InGaP子電池；

(3)在底部InGaP子電池上外延生長形成中部GaAs子電池；

(4)在中部GaAs子電池上外延生長In組分漸變的InGaP或InGaAs應力過渡層，該應力過渡層與中部GaAs子電池的接觸界面符合晶格匹配要求；

(5)在InGaP或InGaAs應力過渡層上外延生長形成應力完全弛豫的頂部InGaAs子電池，頂部InGaAs子電池與InGaP或InGaAs應力過渡層的接觸界面符合晶格匹配要求；

(6)在頂部InGaAs子電池的表面形成歐姆電極；

(7)將InGaAs子電池粘接在具有散熱性的輕質基板上；

(8)采用氫氟酸腐蝕掉犧牲層，Ge或GaAs襯底自然剝離得到InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜太陽能電池。

2.如權利要求1所述的InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述InGaP的In摩爾含量從50％提高到76％或InGaAs的In摩爾含量從0提高到30％。

3.如權利要求1所述的InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述基板是Si或銅片或玻璃。