[發(fā)明專利]一種納米超級電容的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010191624.8
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN101887845A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 丁士進;朱寶
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種納米超級電容的制備方法，其特征在于，首先采用陽極氧化鋁工藝在重摻雜的低阻硅片表面形成了氧化鋁模板；然后，利用金屬催化刻蝕工藝在硅片上形成高密度、高深寬比而且高度有序的深槽陣列；最后，以硅片中的深槽作為模板形成MIS電容結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的納米超級電容的制備方法，其特征在于，所述金屬催化刻蝕工藝中所用的金屬催化劑是金、銀、鉑或鈀；所用的腐蝕液是氫氟酸和雙氧水的混合溶液。

3.根據(jù)權利要求2所述的納米超級電容的制備方法，其特征在于，所述納米超級電容采用Al₂O₃、HfO₂、Ta₂O₅或ZrO₂作為絕緣介質。

4.根據(jù)權利要求3所述的納米超級電容的制備方法，其特征在于，所述納米超級電容采用TiN、TaN或W作為種子金屬層。

5.根據(jù)權利要求4所述的納米超級電容的制備方法，其特征在于，該納米超級電容采用Ni或Cu作為正電極。

6.根據(jù)權利要求1所述的納米超級電容的制備方法，其特征在于，具體操作步驟如下：

(1)在重摻雜的硅片上淀積一層鋁；

(2)對鋁進行兩次陽極氧化得到氧化鋁模板；

(3)在氧化鋁模板的表面淀積一層金屬催化劑；

(4)用鹽酸溶解氧化鋁；

(5)使用氫氟酸和雙氧水的混合溶液對硅片進行金屬催化刻蝕，得到深槽結構；

(6)在深槽的表面淀積一層絕緣介質；

(7)在絕緣介質的表面淀積一層種子金屬層；

(8)在種子金屬層的表面電鍍一層金屬作為正電極。