[發明專利]柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法有效
| 申請號： | 201010191144.1 | 申請日： | 2010-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN102270694A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 馬寧華;陳亮;陳鳴波 | 申請（專利權）人： | 上海空間電源研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 襯底 薄膜 太陽能電池 集成 內聯 組件 制備 方法 | ||
1.一種柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，包括：
步驟1：將聚酰亞胺襯底放入乙醇溶液中，經多次超聲振蕩，清洗干凈，并吹干待用；
步驟2：采用磁控濺射設備，在清洗后的聚酰亞胺襯底上，制備銀和氧化鋅導電膜層作為背電極；
步驟3：在濺射了背電極的樣品上，Nd:YVO4激光刻蝕背電極膜層，將背電極分割成多個小面積區域；
步驟4：在激光刻蝕了背電極的樣品上，制備NIP型硅基薄膜吸收層；
步驟5：采用磁控濺射的方法，在生長了硅基吸收層的樣品上，制備氧化銦錫前電極；
步驟6：在生長了前電極的樣品上，倍頻Nd:YVO4激光刻蝕前電極和吸收層；
步驟7：在上述激光刻蝕了前電極和吸收層的樣品上，通過印刷技術，在前電極膜層上印刷銀柵線，并用銀漿填充在前電極和吸收層的刻槽；
步驟8：在印刷了銀柵線的樣品上，倍頻Nd:YVO4激光刻蝕前電極；
步驟9：激光刻蝕絕緣線；
步驟10：從集成內聯組件引出電池的正極和負極，然后進行封裝。
2.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，在步驟2中，制備背電極的腔室溫度為200℃，導電膜層厚度在600-1000nm。
3.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，在步驟4中，制得的NIP型硅基薄膜吸收層為單結或雙結疊成結構。
4.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，所述NIP型硅基薄膜電池結構為磷摻雜N型硅基薄膜/I型硅基薄膜/硼摻雜P型硅基薄膜依次排列。?
5.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，在步驟5中制得的前電極膜層厚度在70-90nm，其制備的腔室溫度為100℃。
6.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，步驟7中采用的銀漿為選擇低溫固化銀漿。
7.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，步驟7還包括在較低溫度下烘烤樣品，固化銀漿。
8.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，在步驟8中刻蝕掉部分吸收層材料。
9.如權利要求1所述的柔性襯底硅基薄膜太陽能電池集成內聯組件的制備方法，其特征在于，步驟9包括兩種實現方式：
方式一：采用倍頻Nd:YVO4激光刻蝕前電極及部分吸收層；
方式二：采用倍頻Nd:YVO4激光刻蝕前電極，并在這一刻蝕位置上，采用Nd:YVO4將吸收層和背電極材料全部刻蝕掉。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
