[發明專利]一種納米硅量子點的制備方法及在薄膜太陽電池中的應用

無效

• 申請號: 201010187573.1
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN101866836A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 袁寧一;丁建寧;葉楓;王秀琴;王書博
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/268;H01L31/20
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種納米硅量子點的制備方法，其特征在于：利用PECVD方法生長非晶硅，采用飛秒激光雙光束逐層掃描非晶硅，利用圓偏振飛秒激光雙光束的干涉，晶化非晶硅薄膜，在非晶網絡中形成納米晶硅；采用的飛秒激光工藝參數是：波長400～800nm，脈沖寬度5～150fs，脈沖能量0.1～20μJ，重復頻率2～100HZ。

2.權利要求1所述的一種納米硅量子點的制備方法，其特征在于：所述逐層掃描是指：將非晶硅樣品放在計算機控制的三維精密平移臺上，先將兩束偏振態為圓偏振的飛秒激光聚焦在非晶硅樣品中某一點，該點位于非晶硅薄膜和玻璃襯底界面上方20～50nm處，然后利用平移臺的移動，激光在這一點的深度位置上對樣品進行平面掃描晶化；行移動間隔在50～100納米；該層掃描結束后，樣品臺上移，平面移動的間隔在50～100納米；平移臺水平移動速率是0.1～10μm/s。

3.權利要求1所述的一種納米硅量子點的制備方法，其特征在于：形成晶粒的大小分布在30～50nm范圍，晶粒間距控制在20～40nm。

4.采用權利要求1所述的納米硅量子點的制備方法制備的納米硅量子點在薄膜太陽電池制備中的應用。

5.權利要求4所述的納米硅量子點在薄膜太陽電池制備中的應用指：將所述納米硅量子點薄膜作為薄膜太陽電池的I層或I層和N層。