[發(fā)明專利]一種功率放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010187382.5
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN101841306A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王勇;胡少堅;任錚;王彬;周偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種功率放大器，應(yīng)用于無線局域網(wǎng)，其特征在于，包括：

共射極放大級模塊；

射極跟隨模塊，所述射極跟隨模塊至少包括一個晶體管，所述晶體管的基極和所述共射極放大級模塊的輸出端相連；

功率放大級模塊，和所述射極跟隨模塊相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述共射極放大級模塊至少包括：第一鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、第二鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管和第一偏置端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于：所述第一偏置端連接所述第一鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極，所述第一鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極和所述第二鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極相連，所述第一鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極和所述第二鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極均接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述共射極放大級模塊還包括第三鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，所述第三鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極連接一電感后，和所述第二鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述射極跟隨模塊包括：第四鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、第五鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、第六鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、第七鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、第八鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、第二偏置端、第三偏置端和第四偏置端。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率放大器，其特征在于：所述第四鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極和所述第五鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極相連，所述第六鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極和所述第八鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極相連，所述第七鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極連接一電感后，和所述第五鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極相連，所述第二偏置端和所述第四鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極相連，所述第三偏置端和所述第七鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極、所述第六鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極分別相連，所述第四偏執(zhí)端和所述第八鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極、集電極均相連，所述第四、第五、第六、第八鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極均接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述功率放大級模塊至少包括：第九鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，所述第九鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極連接一電感后接地，集電極連接于一對相互并聯(lián)的電容、電感的一端，基極和所述第七鍺化硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極相連。