[發明專利]負載量子點的活性炭顆粒及其制備方法和用途

無效

• 申請號: 201010185915.6
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN101884620A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 儲茂泉;周厚森
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: A61K9/16
• 分類號: A61K9/16;A61K33/24;A61K41/00;A61K47/04;A61P35/00
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司 31208
• 代理人: 陳樹德;李穎薇

1.一種負載量子點的活性炭顆粒，其特征在于：所述顆粒為以活性炭為核，以量子點為殼的納米復合粒子，所述的活性炭的粒徑大小在30nm～1μm，所述的量子點通過靜電吸附作用附著在活性炭的表面。

2.根據權利要求1所述的負載量子點的活性炭顆粒，其特征在于：所述的活性炭為木質活性炭、竹質活性炭、椰子殼活性炭中的一種。

3.根據權利要求1所述的負載量子點的活性炭顆粒，其特征在于：所述的量子點為CdS，ZnS，HgS，CdSe，ZnSe，HgSe，CdTe，ZnTe，ZnO，PbSe，HgTe，GaAs，InP，InAs，InGaAs，CdS/ZnS，CdS/Ag₂S，CdS/PbS，CdS/Cd(OH)₂，CdS/HgS，CdS/HgS/CdS，ZnS/CdS，ZnS/CdS/ZnS，ZnS/HgS/ZnS/CdS，CdSe/CdS，CdSe/ZnS，CdSe/ZnSe，CdSe/CuSe，CdSe/HgTe，CdSe/HgSe，CdSe/HgSe/CdSe，CdTe/CdS，CdTe/CdSe，CdTe/ZnS，CdTe/HgS，InAs/InP，InAs/CdSe，InAs/ZnSe，MgS，MgSe，MgTe，CaS，CaSe，CaTe，SrS，SrSe，SeTe，BaS，BaSe，BaTe中的一種納米粒子或任意幾種納米粒子的組合。

4.根據權利要求2所述的負載量子點的活性炭顆粒，其特征在于：所述的量子點為沉淀顏色為黑色或褐色或棕色的量子點。

5.針對權利要求1至4之一所述的負載量子點的活性炭顆粒的制備方法，其特征在于：

第一步：在量子點表面修飾帶負電荷或正電荷的小分子；

第二步：將量子點水溶液與電荷相反的活性炭攪拌混合10分鐘到4小時，混合溫度為40～100℃，冷卻后離心，沉淀用去離子水多次洗滌，制得負載量子點的活性炭顆粒。

6.針對權利要求1至4之一所述的負載量子點的活性炭顆粒的制備方法，其特征在于：

第一步：在量子點表面修飾帶負電荷的小分子；在活性炭表面修飾帶正電荷的高分子；

第二步：將帶負電荷的量子點水溶液與帶正電荷的活性炭混合，超聲振蕩5～30分鐘，靜置10分鐘以上，離心，沉淀用去離子水多次洗滌，制得負載量子點的活性炭顆粒。

7.針對權利要求1至4之一所述的負載量子點的活性炭顆粒的制備方法，其特征在于包括下述步驟：

第一步：在量子點表面修飾帶負電荷的小分子；在活性炭表面修飾帶正電荷的高分子；

第二步：將帶負電荷的量子點水溶液與帶正電荷的活性炭混合，超聲振蕩5～30分鐘，靜置10分鐘以上，離心，沉淀用去離子水多次洗滌，制得一次負載量子點的活性炭顆粒；

第三步：在一次負載量子點的活性炭顆粒表面修飾帶正電荷的高分子；

第四步：將帶負電荷的量子點水溶液與帶正電荷的活性炭混合，超聲振蕩5～30分鐘，靜置10分鐘以上，離心，沉淀用去離子水多次洗滌，制得兩次負載量子點的活性炭顆粒；

或進一步重復第三步和第四步，獲得三次及以上負載量子點的活性炭顆粒。

8.根據權利要求5或6或7所述的負載量子點的活性炭顆粒的制備方法，其特征在于：第一步中，在量子點表面修飾帶負電荷或帶正電的小分子的方法是：

當量子點為水相合成的量子點時，在合成時加入帶正電或帶負電的小分子；

當量子點為有機相合成的量子點時，將量子點分散在含有帶正電或帶負電小分子的有機溶劑中，高速離心，獲得帶負電或帶正電的小分子的量子點后再將量子點分散到水溶液中。

9.根據權利要求6或7所述的負載量子點的活性炭顆粒的制備方法，其特征在于：第一步或第三步中，在活性炭表面修飾帶正電荷的高分子的方法為：

將活性炭加入到帶正電荷的高分子水溶液中，超聲振蕩5～30分鐘，靜置10分鐘以上，離心，將沉淀物用去離子水多次洗滌，制得表面修飾的活性炭。