[發(fā)明專利]納米級片狀二硫化鉬的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010185621.3 | 申請日： | 2010-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN101857273A | 公開（公告）日： | 2010-10-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 施利毅;楊廷廷;馮欣;湯慶利;方建慧;王鋼領(lǐng);時雯 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 片狀 二硫化鉬 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種納米級片狀二硫化鉬的制備方法，其特征在于：以四硫代鉬酸銨為鉬源和硫源，草酸為還原劑，去離子水為溶劑，三者的摩爾比依次為1∶1～2∶400～500，在溫度70～90℃下攪拌反應1～1.5h，經(jīng)化學沉淀法制得無定形二硫化鉬，然后于氮氣氛下高溫加熱處理，得到納米級片狀二硫化鉬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級片狀二硫化鉬的制備方法，其特征在于所用的還原劑草酸用鹽酸羥胺代替。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級片狀二硫化鉬的制備方法，其特征在于所述的高溫加熱處理為：在氮氣氛保護下，將化學沉淀法制得的無定形二硫化鉬置于石英舟上于管式爐中加熱至800℃，加熱1h，然后隨爐冷卻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級片狀二硫化鉬的制備方法，其特征在于所述的片狀二硫化鉬，粒徑介于50～100nm。
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