[發(fā)明專利]磁場發(fā)生裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010183411.0
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN101893692A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅伯特·哈恩;安德烈亞斯·齊格勒
• 申請（專利權(quán)）人: 西門子公司
• 主分類號: G01R33/3815
• 分類號: G01R33/3815
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 任宇

1.一種磁場發(fā)生裝置、尤其是用于磁共振斷層造影儀的磁場發(fā)生裝置，該磁場發(fā)生裝置帶有至少一個可由冷卻劑冷卻的超導(dǎo)磁場線圈，該磁場線圈容納在一殼體內(nèi)，其特征在于，所述殼體(9)具有至少一個通過深孔鉆削制造的、由所述冷卻劑流過的孔(10)。

2.如權(quán)利要求1所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，所述殼體(9)具有多個通過深孔鉆削制造的孔(10)。

3.如權(quán)利要求2所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，多個或所有的孔(10)相互連通而形成導(dǎo)管系統(tǒng)。

4.如權(quán)利要求3所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，所述導(dǎo)管系統(tǒng)通過至少一個輸入口(11)和至少一個排出口(12)與冷卻劑容器連接。

5.如上述權(quán)利要求中任一項所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，所述至少一個孔(10)與所述磁場線圈(8)或平行于所述磁場線圈(8)的一部分基本上平行地布置。

6.如上述權(quán)利要求中任一項所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，所述殼體(9)和所述至少一個磁場線圈(8)通過多個相互間隔的焊接位置(13)相互連接。

7.如上述權(quán)利要求中任一項所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，所述冷卻劑基本上僅處于所述至少一個孔(10)、輸入口(11)和排出口(12)中。

8.如上述權(quán)利要求中任一項所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于，所述冷卻劑的總量約為0.01m³至0.05m³，優(yōu)選0.02m³。

9.一種制造磁場發(fā)生裝置、尤其是用于磁共振斷層造影儀的磁場發(fā)生裝置的方法，該磁場發(fā)生裝置帶有至少一個可由冷卻劑冷卻的超導(dǎo)磁場線圈，該磁場線圈容納在一殼體內(nèi)，其特征在于，在所述殼體中通過深孔鉆削構(gòu)造至少一個用于冷卻劑的孔。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在一板上構(gòu)造所述至少一個孔，接著將該板卷成管狀的殼體。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，卷成管狀殼體的所述板的對接處設(shè)有焊縫。

12.如權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于，使用不銹鋼或輕金屬合金、尤其是鋁合金來制造板。

13.如權(quán)利要求9至12之一所述的方法，其特征在于，所述板中的所述至少一個孔在一端或兩端設(shè)有封閉塞。