[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010183402.1
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN102129979A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 許俊豪;姚亮吉;官大明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/51;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

提供一基材；

以氫氟酸及醇類的混合物鈍化該基材的一表面，形成一氟鈍化表面；

形成一柵極介電層于該氟鈍化表面上；以及

形成一金屬柵極電極于該柵極介電層上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該混合物包含10％至80wt％的含水氫氟酸蒸氣。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該醇類為異丙醇或甲醇。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中鈍化該基材的該表面包含在室溫常壓下以氫氟酸蒸氣及醇類蒸氣對該基材的該表面作處理。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該氟鈍化表面包含原子濃度大于2％的氟。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該柵極介電層由原子層沉積形成約1nm至3nm的厚度，且具有高于氧化硅的介電常數。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包含：

在鈍化該基材的該表面之前，以氫氟酸、氫氧化銨、過氧化氫、鹽酸、硫酸或臭氧清潔該基材的該表面。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包含：

在形成該柵極介電層之前，形成一界面層于該氟鈍化表面上，該界面層的厚度小于約1nm，且具有氧化硅的介電常數。

9.一種半導體裝置，包括：

一包含氟鈍化表面的基材；

一界面層，位于該氟鈍化表面上，該界面層的厚度小于約1nm；

一柵極介電層，位于該界面層上，且該柵極介電層的介電常數高于該界面層；以及

一金屬柵極電極，位于該柵極介電層上。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該氟鈍化表面包含原子濃度大于2％的氟。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該柵極介電層的厚度介于約1nm至3nm。