[發(fā)明專利]減小LER的方法及實(shí)施該方法的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010181618.4
• 申請日: 2010-05-19
• 公開（公告）號: CN102254808A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 駱志炯;尹海洲;朱慧瓏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種減小半導(dǎo)體器件中特征結(jié)構(gòu)的線邊緣粗糙度LER的方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括特定特征結(jié)構(gòu)；

平行于所述特定特征結(jié)構(gòu)方向、并與所述半導(dǎo)體襯底表面呈傾斜角度對所述特定特征結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子/等離子體刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述傾斜角度相對于半導(dǎo)體襯底的法線方向定義，且小于45°。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，離子/等離子體刻蝕在離子注入機(jī)/等離子體刻蝕機(jī)中進(jìn)行。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，在離子注入機(jī)中使用惰性氣體原子作為離子源。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述惰性氣體原子包括Ar或Xe。

6.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，等離子體刻蝕機(jī)中使用的等離子體源包括HBr或Cl₂。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述特定特征結(jié)構(gòu)為高于半導(dǎo)體襯底表面或低于半導(dǎo)體襯底表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述特定特征結(jié)構(gòu)為凹槽。

9.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述特定特征結(jié)構(gòu)為在替代柵工藝中將犧牲柵去除后的側(cè)墻內(nèi)壁。

10.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述特定特征結(jié)構(gòu)為柵極線。

11.一種半導(dǎo)體器件處理裝置，包括：

處理室；

容納于所述處理室中的離子/等離子噴射頭和晶片臺，其中所述離子/等離子噴射頭用于噴射出離子/等離子束，所述晶片臺包括用于放置晶片的置物平面，所述置物平面的法線與離子/等離子束的射出方向之間的夾角為銳角。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，所述裝置為等離子體刻蝕機(jī)或離子注入機(jī)。