[發明專利]提高鋁鎵銦磷系發光二極管產能的制作工藝

有效

• 申請號: 201010180136.7
• 申請日: 2010-05-13
• 公開（公告）號: CN101859852A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 林素慧;蔡家豪;張美;林科闖
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 廈門原創專利事務所 35101
• 代理人: 徐東峰

1.提高鋁鎵銦磷系發光二極管產能的制作工藝，其工藝步驟如下：

1)在襯底上依次形成分布布拉格反射層、第一型磊晶層、發光層、第二型磊晶層、窗口層；

2)在窗口層上形成P電極并在襯底的底面形成N電極，構成晶片；

3)在晶片的頂面形成保護層用于遮蓋P電極；

4)通過光刻技術在晶片的頂面形成2～5μm的切割道，并定義預切割晶粒的尺寸；

5)對晶片頂面的保護層從上述切割道切口進行濕蝕刻至窗口層頂面；

6)在晶片的底面形成保護層用于遮蓋N電極；

7)通過干蝕刻技術，將對晶片的頂面進行非等向性干蝕刻，可得到3～6μm的切割道；

8)去除晶片的頂面P電極的保護層、底面N電極的保護層后進行光電參數測試；

9)在晶片的底面形成保護層用于遮蓋N電極；

10)通過具有上下CCD鏡頭的光刻機在與晶片的頂面相對應的背面光刻出2～5μm的切割道；

11)對晶片底面的保護層從上述切割道切口進行濕蝕刻至底面N電極底面；

12)在晶片的頂面形成保護層用于遮蓋P電極；

13)通過干蝕刻技術，對晶片的背面進行非等向性干蝕刻，得到3～6μm的切割道，并使上下切割道間剩余5～10μm；

14)去除晶片的頂面P電極的保護層、底面N電極的保護層后，對晶片采用劈裂技術即得發光二極管芯粒。

2.如權利要求1所述的提高鋁鎵銦磷系發光二極管產能的制作工藝，其特征是：襯底材料選用GaAs或GaP中的一種或前述的任意組合之一。

3.如權利要求1所述的提高鋁鎵銦磷系發光二極管產能的制作工藝，其特征是：保護層選自SiO₂、SiN_x、光刻膠、Ni、Cr中的一種或前述的任意組合之一。

4.如權利要求1所述的提高鋁鎵銦磷系發光二極管產能的制作工藝，其特征是：濕蝕刻采用的蝕刻液選自HF、NH₄F、CH₃COOH、H₂SO₄、H₂O₂的一種或前述的任意組合之一。

5.如權利要求1所述的提高鋁鎵銦磷系發光二極管產能的制作工藝，其特征是：干蝕刻采用的氣體選自Ar₂、O₂、BCl₃、Cl₂、SiCl₄的一種或前述的任意組合之一。