[發明專利]一種薄膜生長中原位弱吸收光學薄膜厚度檢測方法無效
| 申請號： | 201010176138.9 | 申請日： | 2010-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN101846499A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發明（設計）人： | 陸衛;王少偉;俞立明;崔寶雙;王曉芳;陳效雙;郭少令 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所;阿旺賽鍍膜技術(上海)有限公司;上海宇豪光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G01B11/06 | 分類號： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 生長 原位 吸收 光學薄膜 厚度 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜生長中原位弱吸收光學薄膜厚度檢測方法：其特征在于：首先，在襯底(1)上鍍制了一層足以引起干涉的打底膜(2)作為襯底膜，測量其透射譜或反射譜；再在其上鍍制一層待測薄膜(3)；由鍍制待測薄膜(3)前后透射譜或反射譜干涉的變化測量出待測薄膜(3)的厚度。
2.根據權利要求1所述的的一種薄膜生長中原位弱吸收光學薄膜厚度檢測方法，其特征在于：所述的打底膜(2)采用的材料包括SiO2、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、Si3N4、Si、Ge，首選折射率與襯底(1)材料折射率之間差別大的材料；所述的打底膜(2)的厚度按以下公式確定：
其中，n為打底膜(2)材料的折射率，λ為檢測光波長，m為干涉級次，m＝1、2或3。
3.根據權利要求1的一種薄膜生長中原位弱吸收光學薄膜厚度檢測方法，其特征在于：所述的襯底(1)的材料采用玻璃、石英、寶石、硅、或鍺。
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