[發明專利]一種能有效抗灰跡的KTP晶體的制備方法無效
| 申請號： | 201010171911.2 | 申請日： | 2010-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN102242389A | 公開（公告）日： | 2011-11-16 |
| 發明（設計）人： | 董勝明;馮彧;翟仲軍;嚴振華;李杰;劉萌 | 申請（專利權）人： | 山東華特中晶光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B9/08 | 分類號： | C30B9/08;C30B29/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東省濟*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有效 抗灰跡 ktp 晶體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種有效抗灰跡的KTP晶體的制備方法，其特征在于：
方法步驟如下：
1)采用頂端籽晶+提拉的方法，緩慢降溫，稍高一點提速；
2)提高熔質濃度45％，提高其實生長溫度；
3)溶劑組成提高；
4)用[100]方向籽晶，單生長區，減少晶體中扇形界；
5)添加PbO，起始生長溫度～1007℃，降溫78℃，0.5～3℃/天，45天，拉速0.1～0.9mm/天，正反轉動60～20rpm。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溶劑組成提高為K6助溶劑。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述[PbO]/[K6]＝0.5，起始生長溫度～1007℃，降溫78℃，0.5～3℃/天，45天，拉速0.1～0.9mm/天，正反轉動60～20rpm。
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