[發(fā)明專利]熱保護(hù)相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010170043.6 | 申請(qǐng)日： | 2010-04-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101958398A | 公開（公告）日： | 2011-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳士弘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 保護(hù) 相變 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 及其 制造 方法 | ||
1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
一導(dǎo)電性接觸部；
一存儲(chǔ)器元件，包括一可程序化電阻存儲(chǔ)器材料，該可程序化電阻存儲(chǔ)器材料覆蓋于該導(dǎo)電性接觸部上；
一絕緣元件，從該導(dǎo)電性接觸部延伸到該存儲(chǔ)器元件內(nèi)，該絕緣元件具有一近端、一遠(yuǎn)程和一內(nèi)表面，其中該內(nèi)表面用以定義一內(nèi)部，該近端鄰近于該導(dǎo)電性接觸面部；以及
一底電極，與該導(dǎo)電性接觸部接觸，并且在該內(nèi)部中從該近端向上延伸，在該內(nèi)部中的該存儲(chǔ)器元件從該遠(yuǎn)程向下延伸，該存儲(chǔ)器元件以在一第一接觸表面與該底電極的一上表面接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該存儲(chǔ)器元件具有一下表面，位于該底電極的該上表面下。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中在該內(nèi)部中的該存儲(chǔ)器元件是自行對(duì)準(zhǔn)于該底電極。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該內(nèi)部具有一寬度，該寬度小于一最小特征尺寸，該最小特征尺寸用于形成該存儲(chǔ)器裝置的一光刻工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括一頂電極，由該存儲(chǔ)器元件，與該絕緣元件的該遠(yuǎn)程分離，并且與該存儲(chǔ)器元件接觸于一第二接觸表面，其中該第二接觸表面的表面積大于該第一接觸表面的表面積。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該存儲(chǔ)器元件包括一材料，該材料的熱導(dǎo)率低于該絕緣元件的材料的熱導(dǎo)率。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該內(nèi)部在該近端與該遠(yuǎn)程具有大致相同的寬度。
8.一種制造存儲(chǔ)器裝置的方法，包括：
形成一導(dǎo)電性接觸部；
形成一絕緣元件，其中該絕緣元件具有一近端、一遠(yuǎn)程和一內(nèi)表面，該內(nèi)表面用以定義一內(nèi)部，而該近端鄰近該導(dǎo)電性接觸部；
形成一底電極，該底電極與該導(dǎo)電性接觸部接觸，并且在該內(nèi)部中從該近端向上延伸，該底電極具有一上表面；以及
在該絕緣元件上，形成一存儲(chǔ)器元件，該存儲(chǔ)器元件包括可程序化電阻存儲(chǔ)器材料，其中該存儲(chǔ)器元件圍繞該絕緣元件的一外表面，并且在從該遠(yuǎn)程向下延伸的該內(nèi)部中，以在一第一接觸表面，與該底電極的該上表面接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中該存儲(chǔ)器元件具有一下表面，該下表面位于該底電極的該上表面下。
10.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中形成該底電極包括：
在由該絕緣元件的該內(nèi)表面所定義的該內(nèi)部中，填入一底電極材料；以及
從該內(nèi)部的一上部分，移除該底電極材料，以形成該底電極。
11.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中該內(nèi)部具有一寬度，該寬度小于一最小特征尺寸，該最小特征尺寸用于形成該存儲(chǔ)器裝置的一光刻工藝。
12.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，還包括：
形成一頂電極，由該存儲(chǔ)器元件，與該絕緣元件的該分離，并且與該存儲(chǔ)器元件接觸于一第二接觸表面，其中該第二接觸表面的表面積大于該第一接觸表面的表面積。
13.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中該存儲(chǔ)器元件包括一材料，該材料的熱導(dǎo)率低于該絕緣元件的材料的熱導(dǎo)率。
14.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中該內(nèi)部在該近端與該遠(yuǎn)程具有大致相同的寬度。
15.如權(quán)利要求8所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中形成該絕緣元件包括：
形成一第一材料層，并且在該第一材料層上形成一第二材料層；
在該第一和該第二材料層中，形成一介層窗，以暴露該導(dǎo)電性接觸部，其中該介層窗具有一側(cè)壁；以及
在該介層窗的該側(cè)壁上，形成該絕緣元件。
16.如權(quán)利要求15所述的制造存儲(chǔ)器裝置的方法，其中在該介層窗的該側(cè)壁上形成該絕緣元件，包括：
在該介層窗中并包含在該介層窗的該側(cè)壁上，沉積一絕緣材料的一層；以及
非等向性蝕刻該絕緣材料。
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