[發(fā)明專利]對多晶硅的精細(xì)電阻調(diào)節(jié)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010169939.2
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN101924560A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·莫塔蒙德
• 申請（專利權(quán)）人: 英特賽爾美國股份有限公司
• 主分類號: H03M1/66
• 分類號: H03M1/66;H01L29/06
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種數(shù)模轉(zhuǎn)換器裝置，包括：

以串的方式連接的多個電阻性元件；

多個電場施加器電路，所述多個電場施加器電路中的每一個耦合至所述電阻性元件中相應(yīng)的一個，從而至少兩個電阻性元件耦合有電場施加器電路，所述電場施加電路響應(yīng)于相應(yīng)的控制電壓產(chǎn)生電場以調(diào)節(jié)電壓系數(shù)，從而調(diào)節(jié)相應(yīng)的耦合的電阻性元件的電阻值；

控制電壓發(fā)生器，所述控制電壓發(fā)生器用于將所述控制電壓施加至所述多個電場施加器電路，從而各個控制電壓與其他控制電壓無關(guān)，其中所述控制電壓發(fā)生器還包括：

存儲器，所述存儲器用于存儲表示所述控制電壓的數(shù)字信息；以及

輔助數(shù)模轉(zhuǎn)換器，所述輔助數(shù)模轉(zhuǎn)換器從所述存儲器接收所述數(shù)字信息，并為所述相應(yīng)的電壓源中的每一個產(chǎn)生所述控制電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件分別包括多晶硅電阻器分段，而所述電場施加器電路包括：

設(shè)置在所述多個多晶硅電阻器分段中的每一個下方的擴(kuò)散阱；以及

設(shè)置在所述多晶硅電阻器分段中的每一個上方的金屬區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述擴(kuò)散阱是N阱或P阱。

4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件分別包括多晶硅電阻器分段，而所述電場施加器電路包括：

設(shè)置在所述多個多晶硅電阻器分段中的每一個下方的第二多晶硅分段；以及

設(shè)置在所述多晶硅電阻器分段中的每一個上方的金屬區(qū)。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件分別包括多晶硅電阻器分段，而所述電場施加器電路包括：

設(shè)置在所述多個多晶硅電阻器分段中的每一個下方的擴(kuò)散阱；以及

設(shè)置在所述多晶硅電阻器分段中的每一個上方的第二組多晶硅分段。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述擴(kuò)散阱是N阱或P阱。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器是電阻器串、有緩沖器的分段R-DAC、無緩沖器的分段R-DAC或R2R?DAC。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器是分段R-DAC，且僅第一分段的所述電阻性元件耦合至調(diào)節(jié)其電阻值的電場施加器電路。

9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件還包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的部分。

10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件還包括：

場氧化物和/或淺槽隔離(STI)區(qū)域中的至少一個，以在所述MOS晶體管的柵極下方形成耗盡區(qū)。

11.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件還包括：

放置在形成于P阱內(nèi)的NMOS型晶體管上的場氧化物層。

12.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述電阻性元件還包括：

放置在PMOS型晶體管上方的場氧化物層。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

控制電路系統(tǒng)，所述控制電路系統(tǒng)用于在制造測試過程中確定表示所述控制電壓的數(shù)字信息。

14.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

控制電路系統(tǒng)，所述控制電路系統(tǒng)用于在所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器工作期間確定表示所述控制電壓的數(shù)字信息。

15.一種操作數(shù)模轉(zhuǎn)換器裝置的方法，包括：

對多個電阻性元件中相應(yīng)的一個施加多個電場，以使至少兩個電阻性元件被施加電場；

響應(yīng)于相應(yīng)的控制電壓產(chǎn)生所述電場，以獨立地調(diào)節(jié)所述電阻性元件中的每一個的電壓系數(shù)；

在存儲器中存儲表示所述控制電壓的信息；以及

將存儲在所述存儲器中的所述信息轉(zhuǎn)換成模擬電壓，所述控制電壓從所述模擬電壓導(dǎo)出。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述存儲信息的步驟在制造測試過程中執(zhí)行，而且所述存儲器是非易失性存儲器。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述存儲信息的步驟在所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)場工作期間執(zhí)行，且所述存儲器是易失性存儲器。