[發(fā)明專利]壓力傳感器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010169200.1
• 申請(qǐng)日: 2010-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN101876575A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 德田智久;東條博史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社山武
• 主分類號(hào): G01L1/22
• 分類號(hào): G01L1/22;G01L9/04
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王軼;李偉

1.一種壓力傳感器，其特征在于，包括：

傳感器芯片，其具備：具有開口部的第一半導(dǎo)體層，和形成在所述第一半導(dǎo)體層上并具有成為隔膜的凹部的第二半導(dǎo)體層；和

基座，其具有與所述開口部連通的壓力導(dǎo)入孔，并與所述傳感器芯片接合，

所述第二半導(dǎo)體層的凹部比所述第一半導(dǎo)體層的開口部大，

所述第一半導(dǎo)體層的開口部的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)的開口口徑比所述基座側(cè)的開口口徑大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于：

在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間形成有具有開口部的絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓力傳感器，其特征在于：

在所述傳感器芯片與所述基座間的接合部的周邊形成有非接合部，利用該非接合部在所述傳感器芯片和所述基座之間設(shè)置出間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器，其特征在于：

所述第二半導(dǎo)體層的凹部的開口邊緣與所述第一半導(dǎo)體層中的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)的開口部的側(cè)壁相比向外方超出5μm以上50μm以下的尺寸。

5.一種壓力傳感器的制造方法，其中壓力傳感器具有由第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層構(gòu)成的傳感器芯片，第二半導(dǎo)體層形成壓敏區(qū)域的隔膜，該壓力傳感器的制造方法的特征在于，包括下述工序：

對(duì)所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行各向異性蝕刻，在與所述壓敏區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分形成開口部的工序；

在所述第一半導(dǎo)體層的開口部的側(cè)壁形成保護(hù)膜的工序，其中該保護(hù)膜具有所述第二半導(dǎo)體層側(cè)的膜厚變薄的厚度分布；

在形成所述保護(hù)膜后，對(duì)所述第一半導(dǎo)體層的開口部的側(cè)壁進(jìn)行蝕刻，使第一半導(dǎo)體層的靠近所述第二半導(dǎo)體層側(cè)的開口口徑比相對(duì)側(cè)的開口徑大，然后對(duì)成為所述壓敏區(qū)域的所述第二半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻以形成所述隔膜，從而在所述第二半導(dǎo)體層上形成比所述第一半導(dǎo)體層的開口部更大的凹部的工序；和

使基座與所述傳感器芯片接合的工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于：

在對(duì)所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行各向異性蝕刻而形成開口部的工序后，

還具備對(duì)設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的絕緣層進(jìn)行蝕刻而形成開口部的工序，

在所述第一半導(dǎo)體層上形成開口部的工序中，將設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的絕緣層作為蝕刻阻擋層，進(jìn)行所述各向異性蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于：

在使基座與所述傳感器芯片接合的工序中，在所述傳感器芯片和所述基座間的接合部的周邊形成非接合部，利用該非接合部在所述傳感器芯片和所述基座之間設(shè)置出間隙。