[發(fā)明專利]一種高密度超尖硅探針陣列的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010165067.2
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN101819219A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王少偉;陸衛(wèi);陳效雙;俞立明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號: G01Q60/38
• 分類號: G01Q60/38
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種高密度、超尖硅探針陣列的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

A.將倍半氧硅氫化物旋涂在硅片上，轉(zhuǎn)速≥3000rpm，其厚度不大于探針陣列周期；

B.在100～200℃的熱板或烘箱中熱處理1～30分鐘，使倍半氧硅氫化物中大部分有機(jī)溶劑揮發(fā)；

C.通過電子束光刻進(jìn)行曝光后，置于30～80℃的三甲胺系列顯影液中顯影約1分鐘，形成單元尺寸≥10nm、周期≥20nm的HSQ點(diǎn)陣列；

D.采用反應(yīng)離子刻蝕方法，通過SF₆、O₂和Ar混合氣體進(jìn)行刻蝕，其流量范圍分別為1～30sccm、0～50sccm和0～30sccm，功率范圍為100～250W，壓強(qiáng)范圍為：10～100mT，刻蝕的時(shí)間由周期和掩膜點(diǎn)陣單元的尺寸決定，為1～30min；

E.用HF腐蝕掉剩余的倍半氧硅氫化物掩膜，形成高密度、超尖硅探針陣列。